電磁界シミュレーションに対応した高周波インダクタ3D CAEデータを公開

株式会社村田製作所は、高周波電磁界の解析が可能な高周波インダクタ3D CAEデータ^*1 （ANSYS^® HFSS^*2向け）を公開しました。

背景

高周波インダクタの3D形状と材料特性を記述したデータであり、ANSYS HFSSに取り込むことにより、インダクタの内部や外部に発生する電磁界をシミュレーションすることができ、インダクタと周辺の磁気干渉の影響などを確認することができる。

村田製作所はセラミックスをベースとした電子部品の開発・生産・販売を行っている世界的な総合電子部品メーカーです。独自に開発、蓄積している材料開発、プロセス開発、商品設計、生産技術、それらをサポートするソフトウェアや分析・評価などの技術基盤で独創的な製品を創出し、エレクトロニクス社会の発展に貢献していきます。
詳細はこちらのページをご覧ください。www.murata.com/ja-jp