2次のIMDノイズは、FETのバイアスラインにキャパシタを配置し、キャパシタのフィルタとしての機能を利用して取り除かれます。しかし、通常の設計では、基板やマイクロストリップライン等のESL（等価インダクタンス）成分によって高周波領域での除去が困難になってきます。
シリコンキャパシタは、FETの直近にワイヤーボンドで実装できるため、余分なESL成分を小さく抑えることができ、数百MHzの領域でのIMDノイズ除去をサポートします。
また、ムラタのシリコンキャパシタは、独自の技術により小型で大容量を実現しながら、温度補償系材料を使用しているため高温環境下でも安定して使用することができます。