シリコンキャパシタ（シリコンコンデンサ）広帯域光通信向けアプリケーション

当社のシリコンキャパシタは、特にESR、ESL、挿入損失などの優れた性能により、超広帯域のシステムにおいて高い評価を頂いています。特に、新商品のX2SCシリーズは最大220 GHzという高周波領域まで安定した特性を発揮できます。
また、シリコンキャパシタだけでなく、ディファレンシャル型シリコンキャパシタやIPD（集積型パッシブデバイス）、シリコンインターポーザーなど、広帯域アプリケーションに特化した幅広く豊富なラインアップを揃えています。

次世代データセンターでは、400 Gb/s（400 GbE）イーサネットが広く普及し始め、さらに400 Gb/sを超えるイーサネットの研究開発もすでに始まっています。より高速でより広い帯域幅というトレンドは、今後も加速し続けます。ムラタのシリコンキャパシタは、挿入損失が非常に低くサイズも非常に小さいため、超広帯域光通信デバイスの消費電力削減と実装面積削減に貢献できます。例えば400 GbEや800 GbEでは、信号ラインごとに56 Gbaudや112 GBaudなどの変調レートが必要となります。これに最適なものがUBB SMDシリコンキャパシタ（たとえば、UBSCシリーズ）です。また、従来の光トランシーバに加え、シリコンフォトニクスタイプの光トランシーバーの需要も高まっています。さらに、オンボードオプティクス（OBO）やコパッケージドオプティクス（CPO）など、次世代フォームファクターの変化に応じた新しい独自設計の電子部品が必要となっています。ムラタのシリコンIPDは必要に応じて製品をカスタマイズすることが可能です。

ムラタのシリコンキャパシタ技術は、56～112 GBaudレートのアプリケーション設計に適しており、224 GBaudの先進的なシステムにも対応可能です。

シリコンキャパシタを使うことで、ラインを相互に接続するための配線経路設計の必要性がなくなります。さらにディファレンシャル型シリコンキャパシタは差動伝送モードに最適な製品です。このようにシリコンキャパシタを使うことで、基板面積を最大70％節約できます。

下に示すように積層セラミックキャパシタと比較すると、ムラタの広帯域シリコンキャパシタは、挿入損失（S21）が非常に低くなっています。この性能の差は、56 GBaudと112 GBaudという領域ではではさらに大きくなります。

シリコンキャパシタを使うことで、ラインを相互に接続するための配線経路設計の必要性がなくなります。さらにディファレンシャル型シリコンキャパシタは差動伝送モードに最適な製品です。このようにシリコンキャパシタを使うことで、基板面積を最大70％節約できます。

高周波領域での特性は、PCBのようなラミネート基板の設計も影響します。そのため、お客様のシステムの性能を最大化するため、ムラタではサポート資料やツールを提供しています。

WLSC、WLDC、WBSC、UWSCシリーズは、ドライバ、LD、TIA、PDのバイアス回路でのデカップリング用途に最適です。スペースが限られた製品の小型化に貢献します。

シリコンキャパシタは非常に薄いため、TIAとワイヤボンドで接合する際のワイヤを短くすることができ、インダクタンスのような寄生成分を低減できます。これは、高周波領域でより良い性能を得るために必要不可欠です。

シリコンキャパシタを使うことで、ラインを相互に接続するための配線経路設計の必要性がなくなります。さらにディファレンシャル型シリコンキャパシタは差動伝送モードに最適な製品です。このようにシリコンキャパシタを使うことで、基板面積を最大70％節約できます。

表面実装シリコンキャパシタはDCデカップリング性能を向上させるとともに、システムへ集積することができます。PCB内部に埋め込んだり、アクティブモジュールパッケージに集積化して、デカップリングラインを短縮したりすることも可能です。

表面実装シリコンキャパシタは、DCデカップリング目的でも使用できます。デカップリング距離を大幅に縮め、全体としての性能を向上させることができます。

シリコンキャパシタを使うことで、ラインを相互に接続するための配線経路設計の必要性がなくなります。さらにディファレンシャル型シリコンキャパシタは差動伝送モードに最適な製品です。このようにシリコンキャパシタを使うことで、基板面積を最大70％節約できます。

ムラタのシリコン集積型パッシブデバイス（IPD）技術を使用することで、光通信機器の小型化と高性能化を同時に実現できます。たとえば、TOSA用シリコンインターポーザーにより、従来は別々に実装されていたすべてのコンデンサと抵抗の集積化が可能となります。これにより、温度や電圧の変化に対する安定性をさらに向上させています。その結果、実装負荷の削減、小型化、高性能化を実現できます。

ムラタのシリコン集積型パッシブデバイス（IPD）技術を使用することで、光通信機器の小型化と高性能化を同時に実現できます。たとえば、TOSA用シリコンインターポーザーにより、従来は別々に実装されていたすべてのコンデンサと抵抗の集積化が可能となります。これにより、温度や電圧の変化に対する安定性をさらに向上させています。その結果、実装負荷の削減、小型化、高性能化を実現できます。