シリコンキャパシタ(シリコンコンデンサ)WBSC / WTSC / WXSCシリーズ

250℃対応 ワイヤボンディング用上下電極シリコンキャパシタ

ムラタのWBSC/WTSC/WXSCシリーズは、最高温度250℃(WXSC)までの信頼性を重視する用途に特化して作られたもので、DCデカップリングに適しています。ムラタの半導体(シリコン)技術による、独自の集積受動部品/デバイス(Integrated Passive Devices)により、このような高信頼性が要求される用途での様々な問題を解決できます。半導体プロセスを利用して極めて深いトレンチ構造をもったシリコンキャパシタを開発、6nF/mm2~250nF/mm2(対応するブレークダウン電圧は150V~11V)という高い静電容量密度を実現しました。
当社の半導体(シリコン)技術は、900℃を超える高温アニールという高純度の酸化膜が生成できる、完全に制御された製造プロセスにより、他のキャパシタテクノロジーと比較して最大で10倍の高信頼性を実現しました。このテクノロジーによりキャパシタの安定性で業界をリードしています(WXSCでは最高250℃、WTSCでは最高200℃、WBSCでは最高150℃まで温度係数+60 ppm/K)。さらにシリコンは本質的に誘電吸収が少なくピエゾ電気効果も小さいあるいはほとんど無いことから、メモリ効果もありません。このシリコンをベースとする技術はRoHSに対応しています。

* Murata Integrated Passive Solutions S.A.(旧IPDiA)

特徴

  • 薄型250μm
  • 低リーク電流
  • 高安定性(温度、電圧)
  • エージング後も静電容量の低下はわずか。
  • 標準ワイヤボンディング実装(ボールおよびウェッジ)に対応

(詳細は当社の実装ガイドを参照ください)

用途

  • レーダーや航空宇宙、無線インフラ通信、データ放送、自動車など要求の厳しい用途
  • パッドが完全に平たんなため、標準のワイヤボンディング(ボールおよびウェッジ)はMLCCより容易
  • デカップリング、DCノイズや高調波フィルタリング、整合回路(例:GaNパワーアンプ、LDMOS)
  • 高信頼性用途
  • 小型化
  • 低背が要求される用途(250μm)

WBSC / WTSC / WXSC シリーズ仕様

パラメータ
静電容量範囲 100pF~22nF(*)
静電容量許容差 ±15%(*)
実装方法 ワイヤボンディング(上下電極)(*4)
動作温度範囲 WXSC: -55℃~250℃
保管温度範囲 WXSCは-70℃~265℃(*2) 
温度係数 +60ppm/K
ブレークダウン電圧(BV) 11VDC、30VDC、50VDC、150VDC(*)(*5)
静電容量変動 0.02%/V (0~RVDC)
等価直列インダクタ(ESL) 代表値50pH @ SRF (*3)
等価直列抵抗(ESR) 最大50mΩ (*3)
絶縁抵抗 10nFの商品の場合
10GΩ(25℃でRVDC印加し120秒後)
エージング 微小、< 0.001% / 1000h
キャパシタ厚さ 250µm
  • (*) ご要望に応じて他の仕様値も対応可能
  • (*2)梱包材を除く
  • (*3)ワイヤボンディング、埋め込み
  • (*4)各製品の実装方法につきましては実装ガイドをご確認ください。
  • (*5)ブレークダウン電圧と定格電圧の関係についてはこちらのFAQをご確認ください。

WBSCシリーズ

耐電圧と定格電圧の関係についてはこちらのFAQをご確認ください。
品名の読み方についてはこちらのFAQをご確認ください。

WTSCシリーズ

耐電圧と定格電圧の関係についてはこちらのFAQをご確認ください。
品名の読み方についてはこちらのFAQをご確認ください。

WXSCシリーズ

耐電圧と定格電圧の関係についてはこちらのFAQをご確認ください。
品名の読み方についてはこちらのFAQをご確認ください。

実装ガイド

各製品の実装方法につきましては、実装ガイドをご確認ください。

Assembly Note Silicon Capacitor_Assembly by wirebond (PDF: 2.0 MB)

UPDATE
2023/12/01