シリコンキャパシタ（シリコンコンデンサ）X2SC / XBSC / UBSC / BBSC / ULSCシリーズ

220GHz対応高周波対応表面実装シリコンキャパシタ: X2SC / XBSC / UBSC / BBSC / ULSCシリーズは、光通信システム（ROSA / TOSAやSONET、その他光エレクトロニクス全般）に加え高速データシステムや製品をターゲットとして、DCブロッキング、カップリング、バイパス接地用途向けに設計されたものです。ムラタ^＊の半導体（シリコン）技術による、独自の集積受動部品 / デバイス（Integrated Passive Devices）により、低挿入損失、低反射、高い位相安定性を実現しています。（対応周波数範囲は、下は16 kHzから、上はX2SCでは最大200+GHz、XBSCでは100+GHz、UBSCでは60+GHz、BBSCでは40GHz、ULSCでは20GHz）ここで用いられているディープトレンチシリコンキャパシタは、半導体のMOSプロセスを応用して開発されたものです。極めて高い信頼性と電圧や温度に対する高い静電容量安定性（0.1% / V, 70 ppm / K）を示します。

また、シリコンキャパシタは−55°C～150°Cと広い動作温度範囲を実現しています。900°Cを超える高温アニールにより得られる高純度の酸化膜による完全に制御された製造ラインが、高い信頼性と再現性を生み出します。X2SC / XBSC / UBSC / BBSC / ULSCシリーズは標準のJEDECの組み立て規則に準拠しており、高速の自動ピックアンドプレース製造工程に問題なく対応可能です。また、これらのキャパシタはRoHS対応品で、ケースサイズに応じてENIG（ニッケル・金）電極または鉛フリーのプリバンプ付でのご提供が可能です。

* Murata Integrated Passive Solutions S.A.（旧IPDiA）

特徴
仕様
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用途
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実装ガイド
関連リンク

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特徴

220GHzを超える超広帯域性能
共振がなく、優れた群遅延の変動を可能に
伝送モードにおける優れたインピーダンス整合により、極めて低い挿入損失を実現（ACカップリング）
バイパス接地モードにおける低いESLとESR（DCデカップリング）
温度、電圧、エージングに対し高い静電容量値の安定性
高い信頼性と長寿命（10年以上）（MLCCが持つ性能の100倍）
可動金型と同等の熱膨張率（CTE）
鉛フリーのリフローはんだ付けと相性が良く、特にプリバンプ付きのSAC305を活用した組み立てプロセスを簡素化できます
集積の自由度が大きい（埋め込みなど）

（詳細は当社の実装ガイドを参照ください）

周波数	シリーズ名	0201M					0201				0402		0603
		BV30	BV30	BV30	BV11	BV11	BV30	BV30	BV30	BV11	BV30	BV11	BV11
		1nF	5.6nF	10nF	10nF	22nF	1nF	10nF	22nF	47nF	47nF	100nF	100nF
最大100GHz+	XBSC	-	Click	Click	Click	Click	-	-	Click	Click	-	-	-
最大60GHz+	UBSC	Click	Click	Click	Click	Click	Click	Click	Click	Click	Click	Click	-
最大40GHz+	BBSC	Click	Click	Click	Click	Click	Click	Click	Click	Click	Click	Click	-
最大20GHz+	ULSC	Click	Click	Click	Click	Click	Click	Click	Click	-	Click	Click	Click

仕様

パラメータ			値
パラメータ			X2SC 200GHz+	XBSC 100GHz+ ^(*1)	UBSC 60GHz+ ^(*1)	BBSC 40GHz ^(*1)	ULSC 20GHz ^(*1)
静電容量範囲			1nF～22nF ^(*2)	1nF～47nF ^(*2)	1nF～100nF ^(*2)	1nF～100nF ^(*2)	1nF～100nF ^(*2)
静電容量許容差			±15% ^(*2)
実装方法			表面はんだ実装 ^(*7)
動作温度範囲			−55°C～150°C
保管温度範囲			−70°C～165°C ^(*3)
温度係数			+70 ppm / K
定格電圧（RV）			3.8V～16V ^(*9)
ブレークダウン電圧（BV）			11VDC～30VDC ^(*8)
RVDCに対する静電容量変動			0.1% / V (0V～RVDC)
ACカップリング	挿入損失（IL）	@20GHz, +25°C	0.1 dB ^(*4)	0.1 dB ^(*4)	0.1 dB ^(*5)	0.1 dB ^(*5)	0.2 dB ^(*6)
		@40GHz, +25°C	0.1 dB ^(*4)	0.2 dB ^(*4)	0.2 dB ^(*5)	0.2 dB ^(*5)	0.3 dB ^(*6)
		@60GHz, +25°C	0.2 dB ^(*4)	0.3 dB ^(*4)	0.3 dB ^(*5)	(0.4 dB) ^{(WC & < 0201 case size)}	(0.5 dB) ^{(WC & < 0402 case size)}
		@100GHz, +25°C	0.2 dB ^(*4)	0.5 dB ^(*4)	(0.7 dB) ^(WC)	(0.8 dB) ^{(WC & < 0201 case size)}	-
		@200GHz, +25°C	0.5 dB ^(*4)	(0.8 dB) ^(WC)	(0.9 dB) ^{(WC & < 0201M case size)}	-	-
	反射損失（RL）	最大100GHz, +25°C	> 20 dB ^(WC)
	反射損失（RL）	最大200GHz, +25°C	> 15 dB ^(WC)
DCデカップリング	等価直列インダクタンス（ESL）	@+25°C, SRF shunt mode	-	-	-	-	Typ. 100 pH
DCデカップリング	等価直列抵抗（ESR）	@+25°C, SRF shunt mode	-	-	-	-	Typ. 300 mOhm
絶縁抵抗		@RV, +25°C, 120s	> 10 GOhm
エージング			微小、< 0.001% / 1000h

WC＝ワーストケース
(*1)パフォーマンスはこの制限まで保証されます。この制限を超えてコンポーネントを使用すると、パフォーマンスが低下する可能性があります。
(*2)ご要望に応じて他の仕様値も対応可能。
(*3)梱包材を除く。
(*4)例 : 2.2nF / 01005M / BV 11V
(*5)例 : 22nF / 0201M / BV 11V
(*6)例 : 47nF / 0201 / BV 11V
(*7)各製品の実装方法につきましては実装ガイドをご確認ください。
(*8)ブレークダウン電圧と定格電圧の関係についてはこちらのFAQをご確認ください。
(*9)100°Cの環境下で連続運転した場合に10年間の寿命予測。

寸法

	シリーズ
	X2SC	XBSC	UBSC	BBSC	ULSC
ケースサイズ	01005M [0.4×0.2mm] to 0201M [0.6×0.3mm]	01005M [0.4×0.2mm] to 0201 [0.8×0.6mm]	01005M [0.4×0.2mm] to 0402 [1.2×0.7mm]	01005M [0.4×0.2mm] to 0402 [1.2×0.7mm]	01005M [0.4×0.2mm] to 0603 [1.8×1.1mm]
厚さ	100 µm	100 & 400 µm	100 & 400 µm	100 & 400 µm	100 & 400 µm