ムラタの高密度シリコンキャパシタは、半導体のMOSプロセスを応用して3次元化することでキャパシタ表面積を大幅に増やし、基板単位面積当たりの静電容量を大きくしたものです。当社のシリコンテクノロジーは、単結晶基板に作り込まれたモノリシック構造を基礎としています（シングルMIMおよびマルチMIM構造。MIM構造とは金属／誘電体／金属の積層構造）。
小型パッケージでより高い性能
この先進の三次元構造により、100µmという驚くべき薄さにセラミック層80層分に相当する有効静電容量面積を実現しました。さらに薄型もご要望により対応可能です。線形で低分散の誘電体を用いて小型化を行ったことにより、静電容量値や電気特性の最適化が実現しました。
対応する市場セグメント
ネットワーク関連（RFパワーアンプやブロードバンド通信）、高信頼性用途、医療、自動車、通信。