弊社のシリコンベースの容量式センサには、単結晶シリコンとガラスが使われており、長時間、広い温度範囲で高信頼性、正確性、優れた安定性を実現します。半導体業界からの製造技術により、量産性とコストパフォーマンスを確保しています。さらに、ウェハボンディング、シリコンの深掘り反応性イオンエッチング（DRIE： Deep Reactive Ion Etching) といったMEMS特有の技術もあります。
2つの表面の距離のばらつきに基づく、シンプルで安定した静電容量検出原理を利用しています。 2つの表面の静電容量 (蓄電量) は、距離と、重なり領域によって異なります。3D MEMSセンサは、堅牢な構造で、慣性力と圧力に敏感ですが、他の環境変動要因や故障原因には反応しません。加速度センサとジャイロスコープを左右対称に配置するなど、しっかりとした設計原理により、安定性、直線性、他軸感度、振動感受性を高めています。
弊社の3D MEMSは、ウェハレベルプロセスで密封 (封止) されています。粒子や薬品が密封されたセンサ内に入り込む余地はなく、信頼性が確保されます。弊社はいち早く、スルーシリコンビアをCAPウェハで使用し、デバイスエリアの縮小、パッケージングプロセスの簡略化を実現しています。
用途に合わせて、加速度センサ、ジャイロスコープ、圧力センサ素子の感度、計測範囲、応答周波数を調整することが可能です。加速度センサおよびジャイロスコープ素子は、インプレーンおよびZ軸計測、3軸検知に対応しています。ジャイロスコープは、地球の自転のような小さな信号から、人の手の動きを追跡する大きなモーション信号まで、幅広く利用できます。
SiP (System in Package) 技術を使って、1つまたは複数の検知素子を信号処理回路に組み込みます。非常に堅牢で、信頼性の高い成形プラスチックパッケージは、自動車製品や工業製品に使用されます。