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ドライエッチング技術のBOSCHプロセスを利用しています。BOSCHプロセスとはシリコン加工特有の技術で、SF6ガスによるエッチングとC4F8による保護膜形成を高速で繰り返すことによってアスペクト比の高いエッチングを行うことが可能になります。
関連用語：シリコンキャパシタ、シリコンコンデンサ、シリコンIPD、Silicon Capacitor(Si-Cap)、Silicon IPD(Si-IPD、Integrated Passive Device)
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