硅电容器 ATSC系列

最高工作温度200℃的汽车用硅电容器: ATSC系列以车载电子设备，以及汽车市场的暴露在恶劣环境下的传感器为目标。这种深槽MOS电容器，利用通过ISO-TS 16949认证的村田^＊设备制造，采用Mosaic设计，与分散的沟槽电容器组合，电气特性达到了前所未有的水平。村田提供的各种电容器，均在制造过程中采用经过900℃退火处理的高纯度氧化膜，以超长寿命成功地通过了AEC-Q100的最高200℃的测试。
硅电容器技术与替代的电容器技术相比，不仅可靠性最高为后者的10倍，而且兼具稳定性和轻薄性。ATSC系列与标准的外置SMD解决方案相比，去藕性能得到加强，可在系统级封装中、引线框架上直接集成。

*Murata Integrated Passive Solutions S.A.（旧IPDiA）

特点
用途
ATSC系列规格
ATSC系列
装配图
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各产品的装配图请见此处

特点

符合AEC-Q100标准
在200℃下保持超长寿命
对于温度、电压、老化，静电容量值的稳定性很高
工作电压16V
负荷中断
人体模型ESD标准8kV
最适合高温引线框架安装

（有关详细信息，请参阅本公司实施应用说明）

用途

恶劣环境用传感器
达到200℃用传感器
点火传感器
液压传感器
温度传感器
电机管理用传感器
涡轮增压器传感器
霍尔传感器

ATSC系列规格

参数	值
静电容量范围	390pF to 1µF^(*)
静电容量容差	±15%^(*)
安装方法	引线键合（嵌入）（水平电极）^(*3)
工作温度范围	-55 to 200℃
保管温度范围	-70°C to 215℃^(*2)
温度系数	+60ppm/K
击穿电压 (BV)	30VDC^(*4)
静电容量变化	0.1%/V (from 0V to RVDC)
绝缘电阻	100nF的商品 50GΩ（25℃，施加10V，120秒后）
老化	微小，<0.001%/1000h
电容器厚度	250µm

^(*)也能根据客户要求提供其他的规格值^(*2)包装材料除外

^(*3)有关各产品的安装方法，请查看装配图。

^(*4)请查看此处的FAQ以了解击穿电压和额定电压之间的关系。

ATSC系列

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关于耐压和额定电压之间的关系，请查看此处的FAQ。
请查看此处的FAQ以了解如何理解产品名称。

装配图

Assembly Note Silicon Capacitor_Assembly by wirebond (PDF: 2.0 MB)

UPDATE: 2023/12/1

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