EMSC系列

可薄至100μm的引线键合/嵌入用硅电容器

依靠村田应用半导体(硅)技术开发的独特的集成无源器件和设备(Integrated Passive Devices),可以解决此类需要高可靠性的用途的各种问题。支持引线键合和嵌入的薄型硅电容器,厚度仅为100μm(也能根据要求薄至80μm),对于需要最佳去耦特性的设计人员而言,这是最适合嵌入用途的解决方案。
EMSC被优化为多层基板封装、刚性/柔性PCB、FR4、陶瓷、玻璃、引线框架或金属薄片的平台。硅电容器技术,提供电容器集成功能(最高250nF/mm2),与现有解决方案相比,可以更加小型化。村田的技术,与钽和MLCC等替代的电容器技术相比,可靠性最高达到后者的10倍,不会发生开裂现象。半导体(硅)技术,在工作电压和工作温度的整个范围内,静电容量极其稳定,并稳定保持高绝缘电阻。这项以硅为基础的技术符合RoHS标准,可以进行无铅回流封装。

* Murata Integrated Passive Solutions S.A.(旧IPDiA)

Murata Icon X 特点

  • 100μm的超薄型(也能根据要求薄至80μm)
  • 低ESL和ESR
  • 低漏电流
  • 高可靠性
  • 嵌入或引线键合解决方案
(详情见本公司的封装应用说明)

Murata Icon X 用途

  • 用途
  • 医疗、航空航天、汽车产业等要求严格的所有用途
  • 电源去耦/能动元件滤波
  • 高可靠性用途
  • 使用电池的设备
  • 限制体积的用途

Murata Icon X EMSC系列规格

参数
静电容量范围 390pF to 1µF
静电容量容差 ±15%(*)
工作温度范围 -55°C to 150°C
保管温度范围 -70°C to 165°C(*2)
温度系数 +60ppm/K
击穿电压 (BV) 11VDC or 30VDC
相对于RVDC的静电容量变化 0.1%/V (from 0 to RVDC)
绝缘电阻 100nF的商品
100GΩ(25℃,施加3V,120秒后)
老化 Negligible, < 0.001% / 1000h
可靠性 FIT<0.017 parts / billions hours
电容器厚度 100µm(*3)

(*) 也能根据客户要求支持其他的规格值 (*2) 包装材料除外 (*3) 也能根据要求薄至80μm

Murata Icon X 系列一览

EMSC.xxx
可薄至100μm的引线键合/嵌入用硅电容器
from -55℃ to 150℃
品名 静电容量 BV
外壳尺寸 厚度
935123730510-xxA 10nF 30V 0202 100µm
935123421610-xxA 100nF 11V 0404 100µm
935123733610-xxA 100nF 30V 0605 100µm
935123422622-xxA 220nF 11V 0505 100µm
935123424710-xxA 1µF 11V 1208 100µm

关于其他的规格值,请向本公司销售人员咨询。

Murata Icon X PDF产品目录

可从以下网址下载硅电容器的相关PDF资料。

Commercial leaflet_EMSC V4.4_Murata (PDF: 1.0 MB)

  • UPDATE 2018/2/20
下载PDF

Assembly Note EMSC V1.9_Murata (PDF: 0.6 MB)

  • UPDATE 2018/2/2
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