HSSC系列

高稳定性高可靠性硅电容器

依靠村田应用半导体(硅)技术开发的独特的集成无源器件和设备(Integrated Passive Devices),可以解决此类需要高可靠性的用途的各种问题。高稳定性硅电容器是根据重视稳定性的用途而研制的。HSSC系列提供很高的DC电压稳定性,不需要提高精密静电容量电路的静电容量设置值。此项技术在电压和温度的整个工作范围内,都能保持稳定的静电容量,提供行业最佳性能。硅电容器的绝缘电阻非常高,而且很稳定,因此在移动用途上,可使电池寿命最多提高30%。
村田的半导体(硅)技术,以电容器的集成功能(最大250nF/mm2)为特点,外壳尺寸可以小于以前的解决方案,因此能够满足严格限制体积的要求。此项技术与钽和MLCC等替代的电容器技术相比,可靠性最高达到后者的10倍,不会发生开裂现象。这项以硅为基础的技术符合RoHS标准,可以进行无铅回流封装。

* Murata Integrated Passive Solutions S.A.(旧IPDiA)

Murata Icon X 特点

  • 超高稳定性(温度、电压、老化)
  • 低漏电流(高绝缘电阻)
  • ESR和ESL极低
  • 温度变化导致的静电容量变化极小。
  • 薄型
  • 最适合无铅回流封装
(详情见本公司的封装应用说明)

Murata Icon X 用途

  • 医疗、航空航天、汽车产业等要求严格的用途
  • 高稳定性用途
  • 去耦/滤波/电荷泵浦(心脏起搏器、除颤器)
  • 使用电池的设备
  • X7R与NP0的置换
  • 小型化

Murata Icon X HSSC系列规格

参数
静电容量范围 47pF to 3.3µF(*)
静电容量容差 ±15%(*)
工作温度范围 -55°C to 150°C
保管温度范围 -70°C to 165°C(*2)
温度系数 +60ppm/K
击穿电压 (BV) 11VDC
相对于RVDC的静电容量变化 0.1%/V (from 0 to RVDC)
绝缘电阻 100nF商品
100GΩ(25℃,施加3V,120秒后)
老化 微小,<0.001%/1000h
可靠性 FIT<0.017个/10亿小时
电容器厚度 400µm

(*) 也能根据客户要求提供其他的规格值 (*2) 包装材料除外

Murata Icon X 系列一览

HSSC.xxx
高稳定性高可靠性硅电容器
from -55℃ to 150℃
型号 静电容量 BV
外壳尺寸 厚度
935131424247-xxN 47pF
11V 0402
400µm
935131424310-xxN 100pF 11V 0402 400µm
935131424347-xxN 470pF 11V 0402 400µm
935131424410-xxN 1nF 11V 0402 400µm
935131424510-xxN 10nF 11V 0402 400µm
935131424522-xxN 22nF 11V 0402 400µm
935131424533-xxN 33nF 11V 0402 400µm
935131424547-xxN 47nF 11V 0402 400µm
935131424610-xxN 100nF 11V 0402 400µm
935131425610-xxN 100nF 11V 0603 400µm
935131426610-xxN 100nF 11V 0805 400µm
935131427610-xxN 100nF 11V 1206 400µm
935131427710-xxN 1uF 11V 1206 400µm
935131429733-xxN 3.3µF 11V 1812 400µm

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Murata Icon X PDF产品目录

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Commercial leaflet HSSC V2.0_Murata (PDF: 0.9 MB)

  • UPDATE 2018/2/20
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