硅电容器LPSC系列

可薄至100μm的硅电容器

LPSC系列能以100μm的厚度(需要时也能薄至80μm),实现对附加电压的极高稳定性、超低漏电流、高级性能,特地为注重集成化的用途而研制,包括天线的匹配器、RF滤波器、活性芯片的去藕装置等限制高度和尺寸的器件,特别是智能卡、RFID标签、医疗设备等。LPSC分为下列2个系列:

  • LPSC系列:最适合容量范围为47pF to 1μF,需要超高去藕特性的用途,包括嵌入技术、模块、系统和封装。
  • ESD增强系列:容量范围为47pF to 330pF,作为RFID的元件长期有效工作。通过对基本单元进行完整建模,成功地将ESD性能优化至最大8kV(参照下面的“特点”)。并且,通过微调RFID硅电容器的容量,可将SRF提高至最大3GHz,能够在13.56MHz to UHF(800/900MHz)的用途上精密对合天线。

各产品的装配图请见此处

特点

  • 100μm的超薄型(也能根据要求薄至80μm)
  • 高Q值
  • 电压稳定性
  • 高ESD性能(ESD增强系列)>1kV(47pF)、>2kV(100pF)、>8kV(330pF)
  • 低漏电流(100pA)
  • 低ESL和ESR
  • SRF>1.2GHz(100pF)

用途

  • 涵盖医疗、电信、计算机产业等要求严格的所有用途
  • 去藕/滤波/电荷泵浦(心脏起搏器、手机)
  • 标准ID1天线
  • 双重接口或完全非接触
  • 智能卡
  • 4、5、6级天线用RFID胶贴
  • 电信用SIM
  • 无线能量收集
  • 个人医疗、健康、体育
  • 智能传感器
  • 产业用标签
  • 汽车TPMS/车用电子防盗系统

LPSC系列规格

参数
静电容量范围 47 pF to 3.3µF(*)
静电容量容差 ±15%(*)
安装方法 焊装(*3)
工作温度范围 -55°C to 150°C
保管温度范围 -70°C to 165°C(*2)
温度系数 +60ppm/K
击穿电压 (BV) 11 VDC or 30 VDC(*4)
相对于RVDC的静电容量变化 0.1%/V (from 0 to RVDC)
等效串联电感 (ESL) 最大100pH (*)
等效串联电阻 (ESR) 最大200mΩ (*)
绝缘电阻 100nF的商品
100GΩ(25℃,施加3V,120秒后)
老化 微小,<0.001%/1000h
电容器厚度 100 µm
  • (*) 也能根据客户要求提供其他的规格值
  • (*2)包装材料除外
  • (*3)有关各产品的安装方法,请查看装配图
  • (*4)请查看此处的FAQ以了解击穿电压和额定电压之间的关系。

LPSC系列

关于耐压和额定电压之间的关系,请查看此处的FAQ。
请查看此处的FAQ以了解如何理解产品名称。

装配图

Assembly Note Silicon Capacitor_Assembly by reflow (PDF: 1.1 MB)

UPDATE
2021/7/8