依靠村田＊应用半导体（硅）技术开发的独特的集成无源器件和设备（Integrated Passive Devices），可以解决此类需要高可靠性的用途的各种问题。高稳定性硅电容器是根据重视稳定性的用途而研制的。HSSC系列提供很高的DC电压稳定性，不需要提高精密静电容量电路的静电容量设置值。此项技术在电压和温度的整个工作范围内，都能保持稳定的静电容量，提供行业最佳性能。硅电容器的绝缘电阻非常高，而且很稳定，因此在移动用途上，可使电池寿命最多提高30%。
村田的半导体（硅）技术，以电容器的集成功能（最大250nF/mm2）为特点，外壳尺寸可以小于以前的解决方案，因此能够满足严格限制体积的要求。此项技术与钽和MLCC等替代的电容器技术相比，可靠性最高达到后者的10倍，不会发生开裂现象。这项以硅为基础的技术符合RoHS标准，可以进行无铅回流封装。
* Murata Integrated Passive Solutions S.A.（旧IPDiA）