村田＊的MGSC系列，以所有的重要插件和生命支持解决方案为目标。这种深槽MOS电容器，利用通过ISO-13485认证的村田设备制造，采用特别的Mosaic设计，与分散的沟槽电容器组合，电气特性达到了超高的水平。村田提供的各种电容器，均在制造过程中采用经过900℃退火处理的高纯度氧化膜，符合AEC-Q100标准。
并且，对根据用途的关键性而生产的电容器进行100%屏蔽，排除“初始”缺陷。漏电流极低，在使用电池的用途上，可以改善性能，延长使用寿命。硅电容器技术与替代的陶瓷电容器技术相比，不仅可靠性高，而且兼具稳定性和轻薄性。MGSC电容器与标准的外置SMD解决方案相比，去藕性能得到加强，可在插件上直接集成。
* Murata Integrated Passive Solutions S.A.（旧IPDiA）