硅电容器X2SC / XBSC / UBSC / BBSC / ULSC系列

支持220GHz的表面封装硅电容器: X2SC / XBSC / UBSC / BBSC / ULSC系列是以光通信系统（ROSA / TOSA、SONET等所有光电产品），以及高速数据系统和产品为目标，专为DC阻塞、耦合、旁路接地用途设计的。依靠村田^＊的半导体（硅）技术开发的独特的集成无源器件和设备（Integrated Passive Devices），实现低插入损耗、低反射、高相位稳定性。（支持的频率范围，最低为16kHz，X2SC最高为200+GHz，XBSC最高为100+GHz，UBSC最高为60+GHz，BBSC最高为40GHz，ULSC最高为20GHz）这里所使用的深槽硅电容器，是应用半导体的MOS工艺开发的。表现极高的可靠性，对于电压和温度的高静电容量稳定性（0.1% / V，70 ppm / K）。

此外，硅电容器实现了−55°C to 150°C的广泛工作温度范围。生产线采用经过超过900°C的高温退火处理而获得的高纯度氧化膜，能够完全控制，确保高度的可靠性和再现性。X2SC / XBSC / UBSC / BBSC / ULSC系列，以标准的JEDEC组装规则为准，可以顺利支持高速的自动抓放生产工艺。此外，这些电容器符合RoHS标准，可以根据外壳尺寸提供ENIG（镍、金）电极或无铅预凸块。

特点
规格
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用途
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装配图
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各产品的装配图请见此处

特点

高于220GHz的超宽带性能
没有共振，可以进行出色的群延迟变化
在传输模式下，凭借出色的抗阻匹配，实现极低的插入损耗（交流耦合）
在旁路接地模式下，ESL和ESR很低（直流去耦）
对于温度、电压、老化，静电容量值的稳定性很高
高可靠性，更长的使用寿命（超过10年）（比MLCC好100倍）
与有源芯片相同的热膨胀系数（CTE）
与无铅回流焊兼容，特别适用于SAC305预焊凸块版的直接组装工艺
更大的集成灵活性（即嵌入）

（有关详细信息，请参阅本公司实施应用说明）

规格

规格
尺寸

Frequency	Series name	0201M					0201				0402		0603
		BV30	BV30	BV30	BV11	BV11	BV30	BV30	BV30	BV11	BV30	BV11	BV11
		1nF	5.6nF	10nF	10nF	22nF	1nF	10nF	22nF	47nF	47nF	100nF	100nF
Up to 100GHz+	XBSC	-	Click	Click	Click	Click	-	-	Click	Click	-	-	-
Up to 60GHz+	UBSC	Click	Click	Click	Click	Click	Click	Click	Click	Click	Click	Click	-
Up to 40GHz+	BBSC	Click	Click	Click	Click	Click	Click	Click	Click	Click	Click	Click	-
Up to 20GHz+	ULSC	Click	Click	Click	Click	Click	Click	Click	Click	-	Click	Click	Click

规格

参数			值
参数			X2SC 200GHz+	XBSC 100GHz+ ^(*1)	UBSC 60GHz+ ^(*1)	BBSC 40GHz ^(*1)	ULSC 20GHz ^(*1)
静电容量范围			1nF to 22nF ^(*2)	1nF to 47nF ^(*2)	1nF to 100nF ^(*2)	1nF to 100nF ^(*2)	1nF to 100nF ^(*2)
静电容量容差			±15% ^(*2)
贴装方法			表面焊接封装 ^(*7)
工作温度范围			−55°C to 150°C
保管温度范围			−70°C to 165°C ^(*3)
温度系数			+70 ppm / K
额定电压（RV）			3.8V to 16V ^(*9)
击穿电压（BV）			11VDC to 30VDC ^(*8)
相对于RVDC的静电容量变化			0.1% / V (from 0V to RVDC)
交流耦合（信号线传输）	插入损耗（IL）	@20GHz, +25°C	0.1 dB ^(*4)	0.1 dB ^(*4)	0.1 dB ^(*5)	0.1 dB ^(*5)	0.2 dB ^(*6)
		@40GHz, +25°C	0.1 dB ^(*4)	0.2 dB ^(*4)	0.2 dB ^(*5)	0.2 dB ^(*5)	0.3 dB ^(*6)
		@60GHz, +25°C	0.2 dB ^(*4)	0.3 dB ^(*4)	0.3 dB ^(*5)	(0.4 dB) ^{(WC & < 0201 case size)}	(0.5 dB) ^{(WC & < 0402 case size)}
		@100GHz, +25°C	0.2 dB ^(*4)	0.5 dB ^(*4)	(0.7 dB) ^(WC)	(0.8 dB) ^{(WC & < 0201 case size)}	-
		@200GHz, +25°C	0.5 dB ^(*4)	(0.8 dB) ^(WC)	(0.9 dB) ^{(WC & < 0201M case size)}	-	-
	反射损耗（RL）	Up to 100GHz, +25°C	> 20 dB ^(WC)
	反射损耗（RL）	Up to 200GHz, +25°C	> 15 dB ^(WC)
直流去耦（噪声滤除）	等效串联电感（ESL）	@+25°C, SRF 并联模式	-	-	-	-	Typ. 100 pH
直流去耦（噪声滤除）	等效串联电阻（ESR）	@+25°C, SRF 并联模式	-	-	-	-	Typ. 300 mOhm
绝缘电阻		@RV, +25°C, 120s	> 10 GOhm
老化			微小、< 0.001% / 1000h

WC＝最坏情况
(*1)在此范围内保证高性能；在用于超出标称范围的情况下时，性能会有所降低。
(*2)也能根据客户要求支持其他的规格值。
(*3)包装材料除外。
(*4)示例 : 2.2nF / 01005M / BV 11V
(*5)示例 : 22nF / 0201M / BV 11V
(*6)示例 : 47nF / 0201 / BV 11V
(*7)有关各产品的安装方法，请查看装配图。
(*8)请查看此处的FAQ以了解击穿电压和额定电压之间的关系。
(*9)在100°C连续运行10年的预期固有寿命。

尺寸

	系列
	X2SC	XBSC	UBSC	BBSC	ULSC
Case size	01005M [0.4×0.2mm] to 0201M [0.6×0.3mm]	01005M [0.4×0.2mm] to 0201 [0.8×0.6mm]	01005M [0.4×0.2mm] to 0402 [1.2×0.7mm]	01005M [0.4×0.2mm] to 0402 [1.2×0.7mm]	01005M [0.4×0.2mm] to 0603 [1.8×1.1mm]
Thickness	100 µm	100 & 400 µm	100 & 400 µm	100 & 400 µm	100 & 400 µm

尺寸图片

产品一览

XBSC系列（Up to 100GHz+）
UBSC系列（Up to 60GHz+）
BBSC系列（Up to 40GHz+）
ULSC系列（Up to 10GHz+）

XBSC系列（Up to 100GHz+）

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关于耐压和额定电压之间的关系，请查看此处的FAQ。
请查看此处的FAQ以了解如何理解产品名称。

UBSC系列（Up to 60GHz+）

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关于耐压和额定电压之间的关系，请查看此处的FAQ。
请查看此处的FAQ以了解如何理解产品名称。

BBSC系列（Up to 40GHz+）

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关于耐压和额定电压之间的关系，请查看此处的FAQ。
请查看此处的FAQ以了解如何理解产品名称。

ULSC系列（Up to 10GHz+）

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关于耐压和额定电压之间的关系，请查看此处的FAQ。
请查看此处的FAQ以了解如何理解产品名称。

用途

光电产品 / 高速数据
跨阻放大器（TIA）
光收发组件（ROSA / TOSA）
同步光纤网络（SONET）
板载光学联盟（COBO）模块
共封装光学（CPO）和可插拔器件
近封装光学（NPO）
硅光子（SiPh）光学收发器
高规格IC（如DSP）
高速数字逻辑
宽带测试装置
宽带微波 / 毫米波
X7R与NP0电容器的置换
已通过ESA认证的建议电容器解决方案
高容积效率（即单位体积的电容）
薄型用途（400或100µm）

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Silicon capacitor Matched Line

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设计支持工具

Assembly of Broadband Silicon Capacitors: Guidelines for improved Impedance Matching

UPDATE: 2020/08/11

装配图

有关各产品的安装方法，请查看装配图。

Assembly Note Silicon Capacitor_Assembly by reflow (PDF: 1.1 MB)

UPDATE: 2021/7/8

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