硅电容器UBDC / BBDC / ULDC系列

超宽带表面贴装型差分硅电容器对组

开发了超宽带智能产品以满足不断变化的光通信市场需求及客户反馈。伴随光子电路持续发展的小型化和不断提升的性能，*村田通过将差分电容器对组和匹配终端等集成于单个硅无源器件上，提供多种智能解决方案。这款独特的集成器件建立在超深沟槽式的MOS工艺硅电容上，可发挥特有性能，提供低插入损耗和反射损耗以及UBDC最高为60GHz，BBDC最高为40GHz、ULDC最高为20GHz的相位稳定性。该电容器完全兼容高速自动化拾放生产操作，并可为0402M封装尺寸提供附带ENIG电极和附带SAC305预焊凸块的产品。

^* Murata Integrated Passive Solutions S.A.

主要特点
UBDC / BBDC / ULDC系列规格
UBDC系列
装配图
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各产品的装配图请见此处

主要特点

超宽带性能高达67GHz
没有共振，因此可以实现超低群延迟变动
由传输模式下出色的抗阻匹配为UBB差分电容器对组实现了超低插入损耗
更细的间距（250µm）、更窄的线条宽度（90µm）以及凸块大小直径
真实的100Ohm差分线
更高的噪声阻止
等效串联比2个单硅电容器更便宜
具有能够适应温度、电压变化和老化的高电容值稳定性
高可靠性
与无铅回流焊兼容，特别适用于SAC305预焊凸块版的直接组装工艺

（有关详细信息，请参阅本公司实施应用说明）

UBDC / BBDC / ULDC系列规格

参数			数值
参数			UBDC 60GHz+ ^(*1)	BBSC 40GHz+ ^(*1)	ULSC 20GHz+ ^(*1)
电容范围			5.6nF to 10nF ^(*1)
电容公差			±15% ^(*1)
贴装方法			表面焊接封装 ^(*3)
工作温度范围			−55°C to 150°C
保管温度范围			−70°C to 165°C ^(*2)
温度系数			+70 ppm / K
额定电压 (RV)			3.8V to 16V ^(*5)
击穿电压（BV）			11VDC to 30VDC^(*4)
相对于RVDC的电容变化			0.1%/ V（从0到RVDC）
交流耦合（信号线传输）	插入损耗（IL）	@20GHz, +25°C	0.2 dB
		@40GHz, +25°C	0.5 dB	0.5 dB	(0.6 dB) ^(WC)
		@60GHz, +25°C	0.9 dB	(1.1 dB) ^(WC)	(1.3 dB) ^(WC)
	反射损耗（RL）	+25°C	12 dB	18 dB	25 dB
绝缘阻抗		@RV, +25°C, 120s	> 10 GOhm
老化			微小, < 0.001% / 1000h
电容器厚度			100 µm

WC＝最坏情况
(*1)在此范围内保证高性能；在用于超出标称范围的情况下时，性能会有所降低。
(*2)包装材料除外。
(*3)有关各产品的安装方法，请查看装配图。
(*4)请查看此处的FAQ以了解击穿电压和额定电压之间的关系。
(*5)在100°C连续运行10年的预期固有寿命。

UBDC系列

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关于耐压和额定电压之间的关系，请查看此处的FAQ。
请查看此处的FAQ以了解如何理解产品名称。

装配图

Assembly Note Silicon Capacitor_Assembly by reflow (PDF: 1.1 MB)

UPDATE: 2021/7/8

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