UBEC / BBEC / ULEC系列

支持60GHz+的嵌入/引线键合用硅电容器

UBEC/BBEC/ULEC系列是以光通信系统(ROSA/TOSA、SONET等所有光电产品),以及高速数据系统和产品为目标,专为DC去耦和旁路用途设计的。依靠村田的半导体(硅)技术开发的独特的集成无源器件和设备(Integrated Passive Devices),UBEC系列、BBEC系列、ULEC系列,分别在60+GHz、40GHz、20GHz,实现出色的静噪性能。这里所使用的深槽硅电容器,是应用半导体的MOS工艺开发的。

UBEC/BBEC/ULEC系列具有极高的可靠性,以及对于温度(+60ppm/K)和电压的静电容量稳定性,而且工作温度范围宽达-55℃ to 150℃。生产线采用经过超过900℃的高温退火处理而获得的高纯度氧化膜,能够完全控制,确保高度的可靠性和再现性。此外,这些电容器支持标准的引线键合封装(球和楔)。这些电容器符合RoHS标准,也能提供厚膜铝电极。

* Murata Integrated Passive Solutions S.A.(旧IPDiA)

Murata Icon X 特点

  • 最大110GHz的超宽带性能
  • 没有共振,可以进行出色的群延迟变化
  • 在传输模式下,凭借出色的抗阻匹配,实现极低的插入损耗
  • 在旁路接地模式下,ESL和ESR很低
  • 对于温度、电压、老化,静电容量值的稳定性很高
  • 高可靠性
  • 可以进行无铅回流封装 
(详情见本公司的封装应用说明)

Murata Icon X 用途

  • 光电产品/高速数据
  • 跨阻放大器(TIA)
  • 光收发组件(ROSA/TOSA)
  • 同步光纤网络(SONET)
  • 高速数字逻辑
  • 宽带测试装置
  • 宽带微波/毫米波
  • X7R与NP0电容器的置换
  • 要求薄型的用途(100μm)

Murata Icon X UBEC / BBEC / ULEC系列规格

参数
静电容量范围 1nF to 100nF (*)
静电容量容差 ±15% (*)
工作温度范围 -55°C to 150°C
保管温度范围 -70°C to 165°C (*2)
温度系数 +60 pmm/K
击穿电压 (BV) 11VDC or 30VDC
相对于RVDC的静电容量变化 0.1%/V (from 0 to RVDC)
60GHz以下的插入损耗 (IL) <0.4dB (*3)
60GHz以下的反射损耗 (RL) >20dB (*3)
等效串联电感 (ESL) 代表值500pH (*3) @ SRF
等效串联电阻 (ESR) 代表值100mΩ (*3)
绝缘电阻 100nF的商品
100GΩ(25℃,施加RVDC,120秒后)
老化 微小,<0.001%/1000h
可靠性 FIT<0.017个/10亿小时
电容器厚度 Max 100µm

(*) 也能根据客户要求提供其他的规格值
(*2) 包装材料除外
(*3) 示例:UBEC 10nF/0201M/BV 11V

Murata Icon X 系列一览

UBEC.xxx
支持60GHz+的嵌入/引线键合用硅电容器
-55℃ to 150℃,60GHz+,带铝电极
型号 静电容量 BV
外壳尺寸 厚度
935157725410-xxA 1nF 30V
0201M 100µm
935157725456-xxA 5.6nF 30V
0201M 100µm
935157425510-xxA 10nF 11V
0201M 100µm
935157421610-xxA 100nF 11V
0404 100µm


BBEC.xxx
支持40GHz的嵌入/引线键合用硅电容器
-55℃ to 150℃,40GHz,带铝电极
型号 静电容量
BV
外壳尺寸 厚度
939132421610-xxA 100nF 11V
0404 100µm


ULEC.xxx
支持20GHz的嵌入/引线键合用硅电容器
-55℃ to 150℃,20GHz,带铝电极
型号 静电容量
BV
外壳尺寸 厚度
935158421610-xxA 100nF 11V
0404 100µm

关于其他的规格值,请向本公司销售人员咨询。

Murata Icon X PDF产品目录

可从以下网址下载硅电容器的相关PDF资料。

Commercial leaflet UBEC / BBEC / ULEC V1.3_Murata (PDF: 1.1 MB)

  • UPDATE 2019/3/15
下载PDF

Assembly Note UBEC / BBEC / ULEC V1.3_Murata (PDF: 0.7 MB)

  • UPDATE 2018/2/2
下载PDF