硅电容器

村田高密度硅电容器采用半导体MOS工艺开发，并使用3D结构来大幅增加电极表面，因此在给定的占位面积内增加了静电容量。村田的硅技术以嵌入非结晶基板的单片结构为基础（单层MIM和多层MIM—MIM是指金属 / 绝缘体 / 金属）。

适合的市场细分
网络相关（RF功率放大器、宽带通信）、高可靠性用途、医疗、汽车、通信。

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此视频介绍硅电容器。说明其在性能和小型化方面的主要优势。

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硅电容器即使在超高频下插入损耗也非常低，尺寸也非常小，因此有助于削减超宽带光通信设备的功耗和安装面积。

可以解决伴随高速大容量通信带来的单频宽带化问题，即在功率放大器模块内消除互调失真，防止信号品质降低。

在近年来需求量快速增长的使自动驾驶成为可能的传感技术“LiDAR”中，硅电容器通过其低ESL特性，为实现检测的长距离化及提高测量分辨率做出贡献。

我们还提供面向医疗设备的定制集成无源设备（IPD）。为系统的高集成化、高性能化、抑制消耗电流和提高可靠性等做出贡献。

标准产品: 村田根据所使用的应用及其特点，提出了一系列按系列组织的产品。所有标准产品列于我们的硅电容器目录中。
定制产品: 村田的硅电容器可以根据客户在静电容量、厚度等尺寸、表面处理和封装等方面的具体需求进行调整。此外，村田可实现多个无源器件在单一封装中的集成，进一步提高系统的整合度。其中包括从电容器阵列到嵌入不同类型的电容器、电阻器或连接元件的复杂集成无源器件（IPD）解决方案。我们将为您的设计提供理想方案，确保其性能和整合度。

		WLSC P B
	厚度	标准（150℃）	高温	高频	低ESL
焊装	100µm	LPSC R All		XBSC (100GHz+) UBSC (60GHz+) BBSC (40GHz) ULSC (20GHz) UBDC (67GHz) B
焊装	400µm	HSSC All	HTSC (200℃) XTSC (250℃) H
引线键合（上下电极）	100µm	WLSC P B		UWSC (26GHz+) (down to 10pH) B P
		WASC A
	250µm	WASC A
		WBSC P B	WTSC (200℃) WXSC (250℃) A P H
		WBSC P B	WTSC (200℃) WXSC (250℃) A P H
引线键合（嵌入）（水平电极）	100µm	EMSC All MGSC M		UBEC (60GHz+) BBEC (40GHz) ULEC (20GHz) B
引线键合（嵌入）（水平电极）	250µm		ETSC (200℃) EXSC (250℃) H ATSC (200℃) A