UWSC系列

支持26GHz+的引线键合用上下电极硅电容器

UWSC系列是以光通信系统(ROSA/TOSA、SONET等所有光电产品),以及高速数据系统和产品为目标,专为DC去耦和旁路用途设计的。依靠村田的半导体(硅)技术开发的独特的集成无源器件和设备(Integrated Passive Devices),在超过26GHz的频率实现出色的静噪性能。UWSC系列是采用深槽和MOS半导体工艺生产的,满足低容量和高容量两方面要求,提供高可靠性,以及对于温度和电压的静电容量稳定性。实现了(0.02%/V,60ppm/K)和-55℃ to 150℃的广泛工作温度范围。生产线采用经过超过900℃的高温退火处理而获得的高纯度氧化膜,能够完全控制,确保高度的可靠性和再现性。这些电容器支持标准的引线键合封装(球和楔)。此外,这些电容器符合RoHS标准,也能提供厚膜金电极。

* Murata Integrated Passive Solutions S.A.(旧IPDiA)

Murata Icon X 特点

  • 超过26GHz的超宽带性能
  • 没有共振,相位稳定
  • 外壳尺寸0101,静电容量值1nF
  • 对于温度、电压、老化,静电容量值的稳定性很高
  • ESR和ESL超低,可靠性高
  • 支持标准的引线键合封装(球和楔) 
(详情见本公司的封装应用说明)

Murata Icon X 用途

  • 光电产品/高速数据
  • 跨阻放大器(TIA)
  • 光收发组件(ROSA/TOSA)
  • 同步光纤网络(SONET)
  • 高速数字逻辑
  • 宽带测试装置
  • 宽带微波/毫米波
  • X7R与NP0电容器的置换
  • 薄型用途(也能根据要求薄至250μm、100μm)

Murata Icon X UWSC系列规格

参数
静电容量范围 47pF to 22nF(*)
静电容量容差 ±15%(*)
工作温度范围 -55°C to 150°C
保管温度范围 -70℃ to 165℃(*2)
温度系数 +60ppm/K
击穿电压 (BV) 11V, 30V, 50V, 150V(*)
相对于RVDC的静电容量变化 0.02%/V (from 0V to RVDC)
等效串联电感 (ESL) Typ 6pH(*4) @ SRF
等效串联电阻 (ESR) Typ 14mΩ(*4)
绝缘电阻 100nF商品
100GΩ(25℃,施加RVDC ,120秒后)
老化 微小,<0.001%/1000h
可靠性 FIT<0.017个/10亿小时
电容器厚度 250µm or 100µm(*)

(*) 也能根据客户要求提供其他的规格值 (*2) 包装材料除外 (*4) 示例:10nF / 0303 / BV 50V

Murata Icon X 系列一览

UWSC.xxx
支持26GHz+的引线键合用上下电极硅电容器
from -55 to 150℃, 26GHz+ 金电极
型号 静电容量 BV
外壳尺寸 厚度
935153831510-xxT 10nF 30V 0202 250µm
935153521410-xxT 1nF 150V 0202 250µm
935153521310-xxT 100pF 150V 0202 250µm
935154630510-xxT 10nF 50V 0303 100µm
935154831510-xxT 10nF 30V 0202 100µm
935154521410-xxT 1nF 150V 0202 100µm
935154632410-xxT 1nF 50V 0101+ 100µm
935154832410-xxT 1nF 30V 0101 100µm
935154521310-xxT 100pF 150V 0202 100µm
935154528247-xxT 47pF 150V 0201 100µm
935154529315-xxT 150pF 150V 015015 100µm
935154522310-xxT 100pF 150V 0101 100µm
935153630510-xxT 10nF 50V 0303 250µm
935154634522-xxT 22nF 50V 0504 100µm

关于其他的规格值,请向本公司销售人员咨询。

Murata Icon X PDF产品目录

可从以下网址下载硅电容器的相关PDF资料。

Commercial leaflet UWSC V1.3_Murata (PDF: 1.1 MB)

  • UPDATE 2019/3/15
下载PDF

Assembly Note UWSC V1.7_Murata (PDF: 0.7 MB)

  • UPDATE 2018/2/2
下载PDF