硅电容器UWSC系列

支持26GHz+的引线键合用上下电极硅电容器

UWSC系列是以光通信系统(ROSA/TOSA、SONET等所有光电产品),以及高速数据系统和产品为目标,专为DC去耦和旁路用途设计的。依靠村田的半导体(硅)技术开发的独特的集成无源器件和设备(Integrated Passive Devices),在超过26GHz的频率实现出色的静噪性能。UWSC系列是采用深槽和MOS半导体工艺生产的,满足低容量和高容量两方面要求,提供高可靠性,以及对于温度和电压的静电容量稳定性。实现了(0.02%/V,60ppm/K)和-55℃ to 150℃的广泛工作温度范围。生产线采用经过超过900℃的高温退火处理而获得的高纯度氧化膜,能够完全控制,确保高度的可靠性和再现性。这些电容器支持标准的引线键合封装(球和楔)。此外,这些电容器符合RoHS标准,也能提供厚膜金电极。

* Murata Integrated Passive Solutions S.A.(旧IPDiA)

各产品的装配图请见此处

特点

  • 超过26GHz的超宽带性能
  • 没有共振,相位稳定
  • 外壳尺寸0101,静电容量值1nF
  • 对于温度、电压、老化,静电容量值的稳定性很高
  • ESR和ESL超低,可靠性高
  • 支持标准的引线键合封装(球和楔) 

用途

  • 光电产品/高速数据
  • 跨阻放大器(TIA)
  • 光收发组件(ROSA/TOSA)
  • 同步光纤网络(SONET)
  • 高速数字逻辑
  • 宽带测试装置
  • 宽带微波/毫米波
  • X7R与NP0电容器的置换
  • 薄型用途(也能根据要求薄至250μm、100μm)

UWSC系列规格

参数
静电容量范围 47pF to 22nF(*)
静电容量容差 ±15%(*)
安装方法 引线键合
(上下电极)(*5)
工作温度范围 -55°C to 150°C
保管温度范围 -70℃ to 165℃(*2)
温度系数 +60ppm/K
击穿电压 (BV) 11V, 30V, 50V, 150V(*)(*6)
相对于RVDC的静电容量变化 0.02%/V (from 0V to RVDC)
等效串联电感 (ESL) Typ 6pH(*4) @ SRF
等效串联电阻 (ESR) Typ 14mΩ(*4)
绝缘电阻 100nF商品
100GΩ(25℃,施加RVDC ,120秒后)
老化 微小,<0.001%/1000h
电容器厚度 250µm or 100µm(*)
  • (*) 也能根据客户要求提供其他的规格值
  • (*2)包装材料除外
  • (*4)示例:10nF / 0303 / BV 50V
  • (*5)有关各产品的安装方法,请查看装配图
  • (*6)请查看此处的FAQ以了解击穿电压和额定电压之间的关系。

UWSC系列

关于耐压和额定电压之间的关系,请查看此处的FAQ。
请查看此处的FAQ以了解如何理解产品名称。

装配图

Assembly Note Silicon Capacitor_Assembly by wirebond (PDF: 2.0 MB)

UPDATE
2023/12/1