硅电容器WBSC / WTSC / WXSC系列

最高工作温度250℃的引线键合用上下电极硅电容器: 村田^＊的WBSC/WTSC/WXSC系列，是特地为最高工作温度250℃（WXSC）的重视可靠性的用途而生产的，适用于DC去耦。依靠村田^＊的半导体（硅）技术开发的独特的集成无源器件和设备（Integrated Passive Devices），可以解决此类需要高可靠性的用途的各种问题。利用半导体工艺，开发极深沟槽结构的硅电容器，静电容量密度高达6nF/mm² to 250nF/mm²（支持的击穿电压为150V to 11V）。
　
本公司的半导体（硅）技术，依靠可以生成超过900℃的高温退火的高纯度氧化膜，完全控制的生产工艺，与其他的电容器技术相比，可靠性最高达到后者的10倍。依靠这项技术，使电容器的稳定性位居行业榜首（WXSC的最高工作温度为250℃，WTSC为200℃，WBSC为150℃，温度系数为+60ppm/K）。并且，因为硅在本质上电介质吸收很小，压电效应也很小，或者几乎没有，所以也没有存储效应。以硅为基础的技术符合RoHS标准。

* Murata Integrated Passive Solutions S.A.（旧IPDiA）

特点
用途
WBSC / WTSC / WXSC系列规格
WBSC系列
WTSC系列
WXSC系列
装配图
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各产品的装配图请见此处

特点

薄型250μm
低漏电流
高稳定性（温度、电压）
老化后静电容量也极少下降。
支持标准的引线键合封装（球和楔）

（有关详细信息，请参阅本公司实施应用说明）

用途

雷达、航空航天、基础设施无线通信、数据播放、汽车等要求严格的用途
焊盘完全平坦，因此标准的引线键合（球和楔）比MLCC容易
去耦、DC噪声、高次谐波滤除、匹配电路（例如GaN功率放大器、LDMOS）
高可靠性用途
小型化
要求薄型的用途（250μm）

WBSC / WTSC / WXSC系列规格

参数	值
静电容量范围	100pF to 22nF^(*)
静电容量容差	±15%^(*)
安装方法	引线键合（上下电极）^(*4)
工作温度范围	-55 ℃ to 250℃ for WXSC
保管温度范围	-70℃ to 265℃^(*2) for WXSC
温度系数	+60ppm/K
击穿电压 (BV)	11V, 30V, 50V, 150V^()^(5)
静电容量变化	0.02%/V (from 0 to RVDC)
等效串联电感 (ESL)	代表值50pH @ SRF^(*3)
等效串联电阻 (ESR)	最大50mΩ^(*3)
绝缘电阻	10nF商品 10GΩ（25℃，施加RVDC，120秒后）
老化	微小，<0.001%/1000h
电容器厚度	250µm

^(*)也能根据客户要求提供其他的规格值
^(*2)包装材料除外
^(*3)引线键合、嵌入
^(*4)有关各产品的安装方法，请查看装配图。
^(*5)请查看此处的FAQ以了解击穿电压和额定电压之间的关系。

WBSC系列

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关于耐压和额定电压之间的关系，请查看此处的FAQ。
请查看此处的FAQ以了解如何理解产品名称。

WTSC系列

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装配图

有关各产品的安装方法，请查看装配图。

Assembly Note Silicon Capacitor_Assembly by wirebond (PDF: 2.0 MB)

UPDATE: 2023/12/1

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