WLSC系列

可薄至100μm的引线键合用上下电极硅电容器

WLSC系列产品(100μm厚)适用于无线通信(例如5G)、雷达、数据播放系统之类的RF大功率用途。WLSC电容器适用于DC去耦、匹配电路、高次谐波/噪声滤除功能等。依靠村田的半导体(硅)技术开发的独特的集成无源器件和设备(Integrated Passive Devices),可以解决此类需要高可靠性的用途的各种问题。利用半导体工艺,开发极深沟槽结构的硅电容器,静电容量密度高达6nF/mm2 to 250nF/mm2(支持的击穿电压为150V to 11V)。本公司的半导体(硅)技术,依靠可以生成超过900℃的高温退火的高纯度氧化膜,完全控制的生产工艺,与其他的电容器技术相比,可靠性最高达到后者的10倍。依靠这项技术,使DC电压与整个工作温度范围的静电容量的稳定性极为优秀。并且,因为硅在本质上电介质吸收很小,压电效应也很小,或者几乎没有,所以也没有存储效应。以硅为基础的技术符合RoHS标准。

* Murata Integrated Passive Solutions S.A.(旧IPDiA)

Murata Icon X 特点

  • 100μm的极薄型
  • 低漏电流
  • 高稳定性(温度、电压)
  • 老化后静电容量也极少下降。
  • 支持标准的引线键合封装(球和楔)
(详情见本公司的封装应用说明)

Murata Icon X 用途

  • 雷达、基础设施无线通信、数据播放等要求严格的所有用途
  • 焊盘完全平坦,因此标准的引线键合(在上下面镀金)比MLCC容易
  • 去耦、DC噪声、高次谐波滤除、匹配电路(例如GaN功率放大器、LDMOS)
  • 高可靠性用途
  • 要求小型化和薄型的用途(100μm)
  • 与单层陶瓷电容器、金属氧化膜半导体完全兼容

Murata Icon X WLSC系列规格

参数
静电容量范围 47pF to 22nF(*)
静电容量容差 ±15%(*)
工作温度范围 -55°C to 150°C
保管温度范围 -70°C to 165°C(*2)
温度系数 +60ppm/K
击穿电压 (BV) 11V, 30V, 50V, 150V(*)
静电容量变化 0.02%/V (from 0 to RVDC)
等效串联电感 (ESL) 代表值50pH@SRF (*3)
等效串联电阻 (ESR) 最大50mΩ (*3)
绝缘电阻 100nF的商品
10GΩ(25℃,施加RVDC,120秒后)
老化 微小,<0.001%/1000h
可靠性 FIT<0.017个/10亿小时
电容器厚度 100µm(*)

(*) 也能根据客户要求提供其他的规格值 (*2) 包装材料除外 (*3) 引线键合、嵌入


Murata Icon X 系列一览

WLSC.xxx
可薄至100μm的引线键合用上下电极硅电容器
from -55℃ to 150℃
型号 静电容量 BV
外壳尺寸 厚度
935146528247-xxT 47pF 150V 0201 100µm
935146522310-xxT 100pF 150V 0101 100µm
935146521310-xxT 100pF 150V 0202 100µm
935146529315-xxT 150pF 150V 015015 100µm
935146832410-xxT 1nF 30V 0101 100µm
935146632410-xxT 1nF 50V 0101+ 100µm
935146521410-xxT 1nF 150V 0202 100µm
935146831510-xxT 10nF 30V 0202 100µm
935146630510-xxT 10nF 50V 0303 100µm
935146634522-xxT 22nF 50V 0504 100µm

关于其他的规格值,请向本公司销售人员咨询。

Murata Icon X PDF产品目录

可从以下网址下载硅电容器的相关PDF资料。

Commercial leaflet WLSC V2.2_Murata (PDF: 1.1 MB)

  • UPDATE 2019/3/15
下载PDF

Assembly Note WBSC / WTSC / WXSC / WLSC_V1.7_Murata (PDF: 0.7 MB)

  • UPDATE 2018/2/2
下载PDF