硅电容器

Silicon Capacitors
村田的高密度硅电容器,通过应用半导体的MOS工艺实现三维化,大幅增加电容器表面积,从而提高了基板单位面积的静电容量。本公司的硅技术,以在单晶基板上构建的单片结构为基础(单层MIM和多层MIM结构。MIM结构是指金属/电介质/金属的多层结构)。

以小型封装实现更高性能
利用先进的三维结构,不仅薄得惊人,只有100μm,而且使有效静电容量面积相当于80个陶瓷层。并且可以根据客户要求生产更薄的产品。采用线性低分散电介质缩小体积,优化了静电容量值和电气特性。

适合的市场细分
网络相关(RF功率放大器、宽带通信)、高可靠性用途、医疗、汽车、通信。
     
  [视频] Murata 3D Silicon Capacitors

Murata Icon X 产品一览

ATSC系列

LPSC系列

ETSC / EXSC系列

MGSC系列

UBEC / BBEC / ULEC系列

WLSC系列

UWSC系列

XBSC / UBSC / BBSC / ULSC系列

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WBSC / WTSC / WXSC系列

UESL系列

EMSC系列

HTSC / XTSC系列

HSSC系列

Murata Icon X 选择指南

硅电容器的选择指南
  厚度 标准
(150℃)
高温 高频 低ESL

焊装
85µm


UESL
(Typically 15pH)

100µm LPSC
 

XBSC (100GHz+)
UBSC (60GHz+)
BBSC (40GHz)
ULSC (20GHz)


400µm HSSC
HTSC (200℃)
XTSC (250℃)



引线键合
(上下电极)
100µm WLSC
  

UWSC (26GHz+)
(down to 10pH)

 
250µm WBSC
  
WTSC (200℃)
WXSC (250℃)


引线键合
(嵌入)
(水平电极)
100µm EMSC


MGSC

UBEC (60GHz+)
BBEC (40GHz)
ULEC (20GHz)


250µm
ETSC (200℃)
EXSC (250℃)



ATSC (200℃)


用途
 汽车

 宽带通信
  RF功率放大器
高可靠性
  医疗
  RFID
信号完整性
  所有应用程序
 

Murata Icon X 技术参考资料

村田依靠引领世界的技术,极为灵活地将High-Q电感、电阻、平面MIM电容器、巴伦用沟槽MOS电容器、PLL环路滤波器、低通滤波器、RC滤波器、馈线去藕装置等各种被动元件组合起来,提供给客户。

此项技术也提供利用与MOS半导体完全兼容的后工序技术集成被动元件的平台,并且可以应用于SIP,利用其他技术(CMOS和MEMS等)进行多片模块和倒装片的异质集成。

Murata Icon X PDF产品目录

可从以下网址下载硅电容器的相关PDF资料。

3D硅电容器

3D Silicon Capacitors (PDF: 5.2 MB)

  • UPDATE 2019/3/15
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