6-5-2. 电容器等效电路
(1) 高频处的阻抗可能集中为大约相同的值
仔细观察图4中的图表，会发现所显示V形曲线的右侧 (高频侧) 集中在大致相同的位置处，而与电容器无关。
图5是在图4的图表上重叠一个0.5nH电感的阻抗 (虚线) ，以进行比较。奇怪的是，电容器的测量阻抗 (V形曲线的右侧) 大致集中在这条线上。换句话说，此处测量的电容器 (MLCC) 在高频下显示大约0.5nH的电感。
(2) 考虑ESL的等效电路
该电感称为电容器的ESL (等效串联电感) 。为了在等效电路中表示采用ESL的电容器，ESL串联连接到静电电容 (Cap) ，如图6所示。
请注意，虽然图5中使用0.5nH的ESL，该值将根据电容器而变化。在图5中使用相同尺寸的MLCC，所以ESL大约为相同值。使用不同的电容器将产生明显不同的值。
(3) 自谐振
如前所述，电容器阻抗通常形成V形特性曲线，因此超小点在曲线的中心部分。这种性质被称为电容器的自谐振，可以解释为在图6的等效电路中Cap和ESL之间发生的串联谐振。超小点的频率被称为SRF (自谐振频率) 。
顺便提及，使用图6所示等效电路计算阻抗，会导致在自谐振频率处形成零阻抗。换句话说，实际电容器可以在该频率下表现出比理想电容器更小的阻抗。
(4) ESR
当然，实际电容器将表现出较小的损耗，因此即使在自谐振频率下，阻抗也不会完全为零。为了表示这种损耗，作为电阻值的ESR (等效串联电阻) 通常包括在电容器等效电路中，如图7所示。
ESR越小，损耗越小，电容器的性能越好。图8例举了具有不同ESR的MLCC的阻抗值。这表明谐振电路中使用的温度补偿电容器的自谐振频率阻抗比通用的高介电常数电容器的自谐振频率阻抗小得多。这是因为拥有温度补偿特性的电容器具有较低的ESR。
请注意，当电容器自谐振时，其阻抗表示电容器的ESR值。这是因为，在图7中，Cap和ESL的阻抗相互抵消，最终变为零。
(5) 等效电路证明的阻抗属性
图9 (a) 总结了到目前为止已经涵盖的内容。
在较低频率处的阻抗大致与理想电容器的阻抗相同。这是因为静电电容阻抗在总阻抗值中所占比例很大，因此ESL和ESR的影响可以忽略。在这种状态下的电容器被称为“电容”，并且其阻抗与频率和静电电容成反比。
在较高频率处的阻抗大致与ESL阻抗相同。这是因为该阻抗的比率在较高频率下较大。在此状态下，电容器被称为“电感”，并且阻抗与频率成正比。
自谐振频率是电容器从电容切换到电感的区域，并且也是阻抗的超小点。在这种状态下的阻抗等于ESR。
作为示例，图9 (b) 显示以插入等效电路中的0.1uF MLCC的代表值计算阻抗的结果。如 (a) 所示，总阻抗值遵循每个元件的阻抗。
(6) 等效电路的可靠性如何？
图10显示了与图9 (b) 的示例计算重叠的1608尺寸MLCC的实际测量值。该图表明，即使使用相对近似的常数进行计算，LCR系列等效电路 (如图7所示) 与测量值紧密匹配，可以再现实际特性。
注意，为了更准确地再现实际特性，ESR和ESL将需要根据频率而改变。此外，在此使用MLCC用于解释目的，如果调整ESL和ESR值，也适用于其它类型的电容器。
(7) 什么导致ESL和ESR？
如前所示，电容器的阻抗不仅受静电电容的影响，而且在高频下受ESL和ESR的影响。这些被称为“寄生元件”。在许多情况下，这些元件将降低电容器的降噪效果。应采取什么措施来减少寄生元件？
如图11所示，MLCC由外部和内部电极和介电体组成。ESR背后的主要因素是这些外部和内部电极的电阻及介电体损耗。此外，当电流流到外部和内部电极时，会在电容器周围形成磁场。这种磁场是ESL背后的主要因素。
虽然降低这些寄生元件的影响并非易事，但在后面的章节中将介绍用作EMC措施的具有降低的ESL的电容器。当电容器安装在印刷板上时，也出现这些寄生元件 (这将在后面讨论) 。必须小心谨慎地安装电容器，以减少ESL。