PoC多用于SerDes接口,其中串行器和解串器通过同轴电缆连接。
在该同轴电缆上,高频信号和直流电流叠加在一起。
在这种情况下,将配置偏置T电路,以防止高频信号串入电源线中,或者直流电流流入解串器中。
偏置T电路中使用了阻断直流并同时使高频通过的电容器,以及阻断高频并同时使直流通过的线圈。
本文中将用于偏置T电路的电容器称为偏置T电容器。
由于Bias-T电感器的作用是阻止交流电并通过直流电,因此该电感器必须具有高阻抗。如果阻抗过低,则交流信号成分会泄漏到电源线,并且沿同轴电缆传输的信号成分会衰减。
我们调查了Bias-T电感器对信号线特性阻抗的影响。
将网络分析仪连接到配备了SerDes IC或Bias-T电路的基板上,并通过TDR法测量了特性阻抗。
关于Bias-T电感器所需要的特性
测量信号线的特性阻抗
传输线的特性阻抗会根据基板的布线设计和元件的位置而变动。通过抑制这种变动并使之保持平滑,传输特性将得到改善。为了保持平滑,Bias-T电感器的阻抗必须足够高。因为如果Bias-T电感器的阻抗较低,则传输线的特性阻抗将下降。右图显示了将Bias-T电感器替换为短路片的极端例子。可以确认特性阻抗从50欧姆迅速变化到0Ω。