在某一时刻查看是否存在可打开的磁场,该时刻即为驱动周期。驱动周期越快,就会被更多地用于旋转检测,但消耗电流也会随之增大。驱动周期越慢,就越能抑制消耗电流,继而被更多地运用于打开、关闭检测等应用。
AMR传感器中的透磁合金(Ni-Fe合金)的灵敏度随外界温度而变化。一般情况下,低温时灵敏度偏高,而高温时灵敏度则偏低。
此外,部分AMR传感器内置有温度校正电路,确保低温时灵敏度偏低,高温时灵敏度偏高。这与透磁合金的温度特性相抵消,降低了传感器的灵敏度变化量。
打开(或关闭)AMR传感器的磁力强度。在0(零)或弱磁场中处于关闭状态的AMR传感器打开时的磁力被称为ON灵敏度(Hon),而在强磁场中处于打开状态的AMR传感器关闭时的磁力则被称为OFF灵敏度(Hoff)。
AMR传感器的灵敏度因各个AMR传感器而异。数据表上的Hon和Hoff仅表示该产品所处范围。
以用于磁阻元件的Ni、Fe、Co等强磁性金属为主要成分的合金薄膜因施加外部磁场,而在原子级发生3d-band电子轨道面的旋转,并且结合电子本身具有的自旋轨道的相互作用,在3d-band电子分布中会产生畸变(d-band的波函数失真)。
因此,电子会寻求能量上的稳定,继而导致传导到不同电子轨道4s-band的电子出现概率发生改变,具体表现为电阻变化。
指在一定状态下反复打开、关闭的状态。若通过外接电阻等调整电源电压,或者附近没有电容器时,可能会在内部间歇运作过程中大量消耗电流的瞬间使电压下降,从而导致电路无法打开。在即将打开的磁场中发生这种情况时,可能会发生类似震动的反复Hi、Lo的动作。敬请注意。
Ni-Fe的合金。具有当接收来自特定方向的磁场时电阻值发生改变的特性。AMR传感器就是利用此特性执行磁力开关动作的。
AMR传感器的输出为ON与OFF时的磁通密度差(设置范围)被称为磁滞。
AMR传感器采用偏离输出为High的磁通密度和输出为Low的磁通密度的设计,可防止开关震动现象。
※ 并非数据表上的Hon和Hoff的差(例如:MRMS501A-001的0.5~2.5mT)。
(因产品名称和个体差异也会有所不同,但磁滞约为0.1~0.4mT。一般不在规格中规定磁滞大小。)