硅电容器的FAQ Q 请告知可以支持的电容器厚度。

作为标准产品，每种形状有2种厚度可供选择，如以下选择指南所示。
以下厚度以外的厚度需要定制。详情请向我们咨询。

		WLSC P B
	厚度	标准（150℃）	高温	高频	低ESL
焊装	100µm	LPSC R All		XBSC (100GHz+) UBSC (60GHz+) BBSC (40GHz) ULSC (20GHz) B
焊装	400µm	HSSC All	HTSC (200℃) XTSC (250℃) H	XBSC (100GHz+) UBSC (60GHz+) BBSC (40GHz) ULSC (20GHz) B
引线键合（上下电极）	100µm	WLSC P B		UWSC (26GHz+) (down to 10pH) B P
		WASC A
	250µm	WASC A
		WBSC P B	WTSC (200℃) WXSC (250℃) A P H
		WBSC P B	WTSC (200℃) WXSC (250℃) A P H
引线键合（嵌入）（水平电极）	100µm	EMSC All MGSC M		UBEC (60GHz+) BBEC (40GHz) ULEC (20GHz) B
引线键合（嵌入）（水平电极）	250µm		ETSC (200℃) EXSC (250℃) H ATSC (200℃) A

相关术语：硅电容器、硅IPD、Silicon Capacitor(Si-Cap)、Silicon IPD(Si-IPD、Integrated Passive Device)

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