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下图比较了硅电容器和C0G、X7R的MLCC的温度特性和DC偏置特性。 由于硅电容器使用无极分子电介质材料，因此电容随DC偏置和温度而发生的变化非常小。
相关术语：硅电容器、硅IPD、Silicon Capacitor(Si-Cap)、Silicon IPD(Si-IPD、Integrated Passive Device)
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