硅电容器的FAQQ请告知BV(Breakdown Voltage、BDV、绝缘击穿电压)与额定电压之间的关系。

A

硅电容器的耐压由BV规定,额定电压通过产品寿命和工作温度进行定义。
例如,本公司将产品在100°C的温度环境下的产品寿命为10年的电压记为额定电压。在本例中,额定电压约为BV的1/3,但它会因BV而变化,因此详情请参阅应用手册中的“村田技术中的3D 电容器寿命”。

可左右滑动屏幕 请使用横屏浏览
Murata Silicon Capacitor
绝缘击穿电压
(BV)
额定电压 村田电介质
形成技术名称
Standard
Type
11V 3.6V PICS3 SMD
30V 16V PICS3HV SMD
50V 21V PICSHV50 Vertical
100V 32V PICSHV100 Vertical
(SMD)
150V 68V PICSHV150 Vertical

相关术语:硅电容器、硅IPD、绝缘击穿电压(BV、BDV)、额定电压(RV)、推荐电压、工作电压、驱动电压、耐压、耐电压、降额、Silicon Capacitor(Si-Cap)、Silicon IPD(Si-IPD、Integrated Passive Device)、Breakdown voltage(BV、BDV)、rated voltage(RV)、recommended voltage、working voltage、drive voltage、voltage tolerance、withstanding tolerance、Derating

请配合完成FAQ改善问卷。
FAQ对您有帮助吗?

如果可以的话,请您提出对FAQ的意见及要求。
您的意见将会用于FAQ的改善中。

  • 以这一方式提出的疑问及要求将不予以回复。

如您有产品相关的疑问,请点击“联系我们”进行咨询。