多层陶瓷电容器 - S参数测量条件 | 多层陶瓷电容器

S-parameter library提供能够用于电路设计时的仿真的芯片积层陶瓷电容器的S-parameter数据。
在此，对S-parameter数据的测量步骤、所使用的试验线路板、测量装置、测量条件进行说明。

测量步骤

以下介绍本测量的步骤。此外，主要以图1所示的方法使用网络分析器和测量夹具在2个端口上测量S-parameter。

1校正

使用SOLT (部分SOL) 校正和TRL校正2种方法进行校正。
SOLT校正使用本公司生产的Short, Open, Load, Thru线路板校正低频率侧的领域。与此相反，TRL校正使用本公司生产的Thru, Reflect, Line, Match线路板校正高频率侧的领域。此外，校正基准面是焊盘图案的端面。
2测量

将样品焊接在线路板上，然后固定在与网络分析器/阻抗分析器相连接的测量夹具上进行测量。
3抽取样品单品的S-parameter数据

所测量的S-parameter数据虽然已经根据校正和电气长修正除去了试验线路板和测量夹具的特性，但还包含通孔和焊盘图案的特性。因此，从测量结果中除去了通孔和焊盘图案的特性，抽取样品单品的S-parameter数据。
图1: S-parameter测量

本测量所使用的试验线路板如下所示。图2显示了焊盘图案。

本测量所使用的测量装置如下所示。

※1,000pF以上的与高诱电型电容器的条件相同。

本测量将测量频率范围分为低频率领域和高频率领域两种，分别采用适合各自领域的测量条件。
表1、表2分别表示温度补偿用电容器及高诱电型电容器的测量条件。