ムラタの高密度シリコンキャパシタは、半導体のMOSプロセスを応用して3次元化することで電極面を大幅に増やし、基板単位面積当たりの静電容量を大きくしたものです。ムラタはこの3次元構造を非結晶基板に一体化する技術を保有しています。
この高度な3Dトポロジーにより、100µmという驚異的な薄さの中に、セラミック層80層分に相当するアクティブな静電容量領域を実現しています。（100µmより小さい値についてはお問い合わせください。）
安定した誘電体（常誘電体）を使用することにより、安定した電気的特性を実現しています。
半導体MOSプロセスと同じDNAを持つムラタのシリコンキャパシタは、実証された一貫性のあるデータに基づいた標準モードがあり、それゆえ予測可能で信頼性の高い卓越した性能を提供します。当社のシリコンキャパシタ技術は、高温硬化時に発生する酸化物により、他のキャパシタ技術に比べ最大11倍の信頼性を実現しています。さらに、電気テスト各種をすべて製造工程の最後に行うことで、初期不良の発生を防いでいます。