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为了达到伴随高速大容量通信,如何利用比现行带宽高数倍至数十倍的带宽已成为一大研究课题。但众所周知,若以大功率输出宽带信号,功率放大器模块(PAM)内将会出现互调失真(IMD)问题,降低信号完整性。IMD的频率与带宽成正比例关系,2阶IMD中造成问题的频率在Sub6GHz中最大达到400MHz,在毫米波中则达到数GHz。
应用对象:基站的射频功率放大器模块
各产品的装配图请见此处
2次IMD噪声可通过在FET的偏置线上放置电容器并利用电容器的滤波功能来消除。但是,在通常的设计中,电路板或微带线等的ESL(等效电感)成分导致在高频范围内难以消除。 硅电容器可以通过引线结合安装在靠近FET的位置,因此可以将多余的ESL成分控制得很小,支持数百MHz范围内的IMD噪声消除。 此外,村田的硅电容器通过专有的技术实现了小型和大容量,而且采用了温度补偿材料,因此即使在高温环境下也能稳定工作。
通过本公司专有技术的3D结构获得了比平面结构大100倍的电极表面积,实现了紧凑封装。另外,因为硅电容器的电介质使用了温度补偿类材料,所以在实际使用条件下容量不会减少,达到了上下电极式小型产品领域中的最大级别静电容量密度。
引线键合系列
频率 : 10GHz厚度 : 100µm
频率 : 10GHz厚度 : 250µm
频率 : 26GHz厚度 : 100/250µm
对于用于射频功率放大器的电容器,为了阻止与其他不同容量的电容器之间的反谐振,我们还提议使用将阻尼电阻集成到1颗芯片上的IPD。※目前正在开发。 如果想了解详情,请通过联系表进行咨询。
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