硅电容器硅电容器的产品寿命

村田的硅电容器通过加速试验计算产品寿命。
使用半导体击穿模式测试之一的绝缘膜经时击穿（TDDB）测试，将击穿模式模型化，用温度、电场的加速系数推算产品寿命。
在100°C的温度环境下，产品寿命为10年的建议电压各技术不同。
请参阅下表。

在一定的电压和温度条件下使用氧化膜等电介质的话，可观察到随着时间的经过，氧化膜被击穿。这称作绝缘膜经时击穿(TDDB)，是半导体的重要击穿模式之一。
这一现象在一定时间下，在高电压或高温条件下加速。

以村田技术之一的PICS3HV（BV：30V）为例来看看吧。

从表中可知PICS3HV在100°C的温度环境下10年以上的施加电压是16V。
村田的硅电容器的产品寿命就是这样根据各环境温度和施加的电压计算的。

其他通过咨询表受理。