硅电容器

村田的高密度硅电容器,通过应用半导体的MOS工艺实现三维化,大幅增加电容器表面积,从而提高了基板单位面积的静电容量。

适合的市场细分

网络相关(RF功率放大器、宽带通信)、高可靠性用途、医疗、汽车、通信。

Silicon Capacitors

产品搜索

产品一览

选择指南

硅电容器的选择指南

可左右滑动屏幕 请使用横屏浏览
厚度 标准
(150℃)
高温 高频 低ESL
焊装
100µm
  • R
  • All
  • B
400µm
  • All
  • H
引线键合
(上下电极)
100µm
  • P
  • B
  • B
  • P
  • A
250µm
  • P
  • B
  • A
  • P
  • H
引线键合
(嵌入)
(水平电极)
100µm
  • All
  • M
  • B
250µm
  • H
  • A
用途
  • A汽车
  • B宽带通信
  • PRF功率放大器
  • H高可靠性
  • M医疗
  • RRFID
  • All所有应用程序

本公司提供适用于各类安装的产品系列。
有关各产品的安装方法,请查看装配图

技术参考资料

村田依靠引领世界的技术,极为灵活地将High-Q电感、电阻、平面MIM电容器、巴伦用沟槽MOS电容器、PLL环路滤波器、低通滤波器、RC滤波器、馈线去藕装置等各种被动元件组合起来,提供给客户。

此项技术也提供利用与MOS半导体完全兼容的后工序技术集成被动元件的平台,并且可以应用于SIP,利用其他技术(CMOS和MEMS等)进行多片模块和倒装片的异质集成。

应用指南 / 技术说明书 / 各种证书