请输入产品型号或部分型号。
就DC-DC转换器使用的各元件的损耗计算方法进行说明。
DC-DC转换器的损耗中，影响较大的因素具体如下：
除此之外，还有FET的栅极电荷损耗、控制IC的动作损耗、电容器的ESR引起的固定损耗等。
FET开关的损耗包括导通损耗（Pon）与开关损耗（Pr、Pf）。
开关元件FET的导通损耗发生在FET导通时，具体算式如下：
如果使用Rds（ON）小的FET，导通损耗就小，但通常由于各代FET的Rds（ON）×Ciss（FET输入电容）固定，因此若 Rds（ON）变小，Ciss反而会增大，从而会影响到后述的开关损耗。 因此，应根据电源规格，选择具有理想特性的FET。
假设电压和电流呈直线上升，可用以下算式简单地计算损耗。
线圈的损耗包括绕线引起的铜损与芯材引起的铁损。
DC损耗（PLDCR）的产生则与负载电流的平方成正比。 低负载时电流较小，因此DC损耗也较小，而负载电流增加时，DC损耗也将大幅增加。
另一方面，流过线圈的电流的AC成分取决于输入、输出电压和频率。因此，即使负载电流发生变化，AC损耗量也不会出现较大的变化。（另外，由于AC损耗的计算比较复杂，在此不做讲解）
因此，在低负载范围内AC损耗将起决定性作用，而在高负载范围内，DC损耗则起决定性作用。
Murata's step-down DC-DC charge pump module has received the Green/Eco Award in the China Top 10 Power Award