シリコンキャパシタのFAQQBV(Breakdown Voltage, BDV, 絶縁破壊電圧)と定格電圧の関係について教えて下さい。

A

Siキャパシターの耐電圧はBVで規定されており、定格電圧を製品寿命・使用温度より定義します。
一例として弊社では、100℃の温度環境で製品寿命が10年となる電圧を定格電圧として表記しています。この例の場合、定格電圧はBVのおおよそ1/3になりますが、BVによって異なっていますので詳細についてはApplication Notesの「Lifetime of 3D-capacitors in Murata technologies」をご参照ください。

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Murata Silicon Capacitor
絶縁破壊電圧
(BV)
定格電圧 ムラタ誘電体
形成技術名
Standard
Type
11V 3.6V PICS3 SMD
30V 16V PICS3HV SMD
50V 21V PICSHV50 Vertical
100V 32V PICSHV100 Vertical
(SMD)
150V 68V PICSHV150 Vertical

関連用語:シリコンキャパシタ、シリコンコンデンサ、シリコンIPD、絶縁破壊電圧 (BV、BDV)、定格電圧 (RV)、推奨電圧、使用電圧、駆動電圧、耐圧、耐電圧、ディレーティング、Silicon Capacitor(Si-Cap)、Silicon IPD(Si-IPD、Integrated Passive Device)、Breakdown voltage(BV、BDV)、rated voltage(RV)、recommended voltage、working voltage、drive voltage、voltage tolerance、withstanding tolerance、Derating

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