村田高密度硅电容器采用半导体MOS工艺开发，并使用3D结构来大幅增加电极表面，因此在给定的占位面积内增加了静电容量。村田的硅技术以嵌入非结晶基板的单片结构为基础（单层MIM和多层MIM—MIM是指金属 / 绝缘体 / 金属）。
这种先进的3D拓扑结构可在惊人的100µm厚度内，使开发的有效静电容量面积相当于80个陶瓷层（可视需求提供更低值）。由于使用非常线性和低色散的电介质，小型化、静电容量值和电气性能实现了优化。
村田的硅电容器与半导体MOS工艺源自相同的DNA，具有以经过验证的一致性数据建立的全模块默认模型，因此提供了可预测、极为可靠的性能。相较于其他电容器技术，我们的硅电容器技术在可靠性方面提高了10倍，这主要得益于在高温固化过程中生成的氧化物。此外，所有的电气测试都在生产步骤结束时完成，这就避免了早期故障。