ATSC系列以车载电子设备,以及汽车市场的暴露在恶劣环境下的传感器为目标。这种深槽MOS电容器,利用通过ISO-TS 16949认证的村田*设备制造,采用Mosaic设计,与分散的沟槽电容器组合,电气特性达到了前所未有的水平。村田提供的各种电容器,均在制造过程中采用经过900℃退火处理的高纯度氧化膜,以超长寿命成功地通过了AEC-Q100的最高200℃的测试。
硅电容器技术与替代的电容器技术相比,不仅可靠性最高为后者的10倍,而且兼具稳定性和轻薄性。ATSC系列与标准的外置SMD解决方案相比,去藕性能得到加强,可在系统级封装中、引线框架上直接集成。
*Murata Integrated Passive Solutions S.A.(旧IPDiA)