WLSC系列产品(100μm厚)适用于无线通信(例如5G)、雷达、数据播放系统之类的RF大功率用途。WLSC电容器适用于DC去耦、匹配电路、高次谐波/噪声滤除功能等。依靠村田*的半导体(硅)技术开发的独特的集成无源器件和设备(Integrated Passive Devices),可以解决此类需要高可靠性的用途的各种问题。利用半导体工艺,开发极深沟槽结构的硅电容器,静电容量密度高达6nF/mm2 to 250nF/mm2(支持的击穿电压为150V to 11V)。本公司的半导体(硅)技术,依靠可以生成超过900℃的高温退火的高纯度氧化膜,完全控制的生产工艺,与其他的电容器技术相比,可靠性最高达到后者的10倍。依靠这项技术,使DC电压与整个工作温度范围的静电容量的稳定性极为优秀。并且,因为硅在本质上电介质吸收很小,压电效应也很小,或者几乎没有,所以也没有存储效应。以硅为基础的技术符合RoHS标准。
* Murata Integrated Passive Solutions S.A.(旧IPDiA)