WBSC / WTSC / WXSC系列

最高工作温度250℃的引线键合用上下电极硅电容器

村田的WBSC/WTSC/WXSC系列,是特地为最高工作温度250℃(WXSC)的重视可靠性的用途而生产的,适用于DC去耦。依靠村田的半导体(硅)技术开发的独特的集成无源器件和设备(Integrated Passive Devices),可以解决此类需要高可靠性的用途的各种问题。利用半导体工艺,开发极深沟槽结构的硅电容器,静电容量密度高达6nF/mm2 to 250nF/mm2(支持的击穿电压为150V to 11V)。

本公司的半导体(硅)技术,依靠可以生成超过900℃的高温退火的高纯度氧化膜,完全控制的生产工艺,与其他的电容器技术相比,可靠性最高达到后者的10倍。依靠这项技术,使电容器的稳定性位居行业榜首(WXSC的最高工作温度为250℃,WTSC为200℃,WBSC为150℃,温度系数为+60ppm/K)。并且,因为硅在本质上电介质吸收很小,压电效应也很小,或者几乎没有,所以也没有存储效应。以硅为基础的技术符合RoHS标准。

* Murata Integrated Passive Solutions S.A.(旧IPDiA)

Murata Icon X 特点

  • 薄型250μm
  • 低漏电流
  • 高稳定性(温度、电压)
  • 老化后静电容量也极少下降。
  • 支持标准的引线键合封装(球和楔) 
(详情见本公司的封装应用说明)

Murata Icon X 用途

  • 雷达、航空航天、基础设施无线通信、数据播放、汽车等要求严格的用途
  • 焊盘完全平坦,因此标准的引线键合(球和楔)比MLCC容易
  • 去耦、DC噪声、高次谐波滤除、匹配电路(例如GaN功率放大器、LDMOS)
  • 高可靠性用途
  • 小型化
  • 要求薄型的用途(250μm)

Murata Icon X WBSC / WTSC / WXSC系列规格

参数
静电容量范围 100µm to 22nF(*)
静电容量容差 ±15%(*)
工作温度范围 -55 ℃ to 250℃ for WXSC
保管温度范围 -70℃ to 265℃(*2) for WXSC
温度系数 +60ppm/K
击穿电压 (BV) 11V, 30V, 50V, 150V(*)
静电容量变化 0.02%/V (from 0 to RVDC)
等效串联电感 (ESL) 代表值50pH @ SRF (*3)
等效串联电阻 (ESR) 最大50mΩ (*3)
绝缘电阻 10nF商品
10GΩ(25℃,施加RVDC,120秒后)
老化 微小,<0.001%/1000h
可靠性 FIT<0.017个/10亿小时
电容器厚度 250µm

(*) 也能根据客户要求提供其他的规格值 (*2) 包装材料除外 (*3) 引线键合、嵌入

Murata Icon X 系列一览

WBSC.xxx
引线键合用上下电极硅电容器
from -55℃ to 150℃
品名 静电容量 BV
外壳尺寸 厚度
935142521310-xxT 100pF 150V 0202 250µm
935142521410-xxT 1nF 150V 0202 250µm
935142831510-xxT 10nF 30V 0202 250µm
935142630510-xxT 10nF 50V 0303 250µm
935142634522-xxT 22nF 50V 0504 250µm

WTSC.xxx
最高工作温度200℃的引线键合用上下电极硅电容器
from -55℃ to 200℃
品名 静电容量 BV
外壳尺寸 厚度
935144521310-xxA 100pF 150V 0202 250µm
935144521410-xxA 1nF 150V 0202 250µm

WXSC.xxx
最高工作温度250℃的引线键合用上下电极硅电容器
from -55℃ to 250℃
品名 静电容量 BV
外壳尺寸 厚度
935145521310-xxA 100pF 150V 0202 250µm
935145521410-xxA 1nF 150V 0202 250µm

关于其他的规格值,请向本公司销售人员咨询。

Murata Icon X PDF产品目录

可从以下网址下载硅电容器的相关PDF资料。

Commercial leaflet WBSC / WTSC / WXSC V2.2_Murata (PDF: 1.1 MB)

  • 下载PDF 2019/3/15
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Assembly Note WBSC / WTSC / WXSC / WLSC_V1.7_Murata (PDF: 0.7 MB)

  • 下载PDF 2018/2/2
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