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为了达到伴随高速大容量通信，如何利用比现行带宽高数倍至数十倍的带宽已成为一大研究课题。但众所周知，若以大功率输出宽带信号，功率放大器模块（PAM）内将会出现互调失真（IMD）问题，降低信号完整性。IMD的频率与带宽成正比例关系，2阶IMD中造成问题的频率在Sub6GHz中最大达到400MHz，在毫米波中则达到数GHz。
应用对象：基站的射频功率放大器模块
各产品的装配图请见此处
2次IMD噪声可通过在FET的偏置线上放置电容器并利用电容器的滤波功能来消除。但是，在通常的设计中，电路板或微带线等的ESL（等效电感）成分导致在高频范围内难以消除。 硅电容器可以通过引线结合安装在靠近FET的位置，因此可以将多余的ESL成分控制得很小，支持数百MHz范围内的IMD噪声消除。 此外，村田的硅电容器通过专有的技术实现了小型和大容量，而且采用了温度补偿材料，因此即使在高温环境下也能稳定工作。
通过本公司专有技术的3D结构获得了比平面结构大100倍的电极表面积，实现了紧凑封装。另外，因为硅电容器的电介质使用了温度补偿类材料，所以在实际使用条件下容量不会减少，达到了上下电极式小型产品领域中的最大级别静电容量密度。
引线键合系列
频率 : 10GHz厚度 : 100µm
频率 : 10GHz厚度 : 250µm
频率 : 26GHz厚度 : 100/250µm
对于用于射频功率放大器的电容器，为了阻止与其他不同容量的电容器之间的反谐振，我们还提议使用将阻尼电阻集成到1颗芯片上的IPD。※目前正在开发。 如果想了解详情，请通过联系表进行咨询。
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