電源系インダクタ

電源系インダクタQualcomm Snapdragon™
リファレンスデザイン
パワーインダクタ DFE2MCPHシリーズのご紹介

Qualcommの自動車向け高性能ADAS/IVIプラットフォーム「Snapdragon™」のリファレンスデザインに、ムラタのパワーインダクタが採用されました。

Qualcomm Snapdragonサイト

Referenced IC

Qualcomm SoC
SA8295P
SA8795P
SA8540P
SA8530P
SA8775P
SA8650P
SA8255P
SA8630P
SA7255P

Qualcomm PMIC
PMM8295AU
PMM8540AU
PMM8650AU
PMM8620AU
PMAU0101

車載ECU

ムラタのパワーインダクタ「DFE2MCPH」が、Qualcommの電源回路リファレンスデザインに採用されました。

電源回路リファレンスデザインのイメージ図

DFE2MCPHシリーズについて

外観・特長

特長

AEC-Q200準拠
IATF16949認証取得
低DCRかつ高電流対応
動作温度範囲 : −40～+155°C（自己発熱を含む）
サイズ : 0806（2.0×1.6mm / 高さ : 最大1.2mm）
L字端子形状

DFE2MCPHシリーズの外観

スペック

P/N	L [uH]	Rdc [mΩ]	Isat [A]^※1	Itemp [A]^※2	Details
P/N	L [uH]	Max. (Typ.)	Max. (Typ.)	Max. (Typ.)	Details
DFE2MCPHR33MJLLQ	0.33	18 (14)	6.9 (8.1)	5.1 (6.4)	詳細を見る
DFE2MCPHR47MJLLQ	0.47	22 (19)	5.4 (6.3)	4.4 (5.5)	詳細を見る

※1Isat : 公称インダクタンス値が30％低下した際の飽和電流値
※2Itemp : コイル温度が40°C上昇する電流値

電気的特性

DFE2MCPHの電流飽和特性は、従来品と比べ60％改善。
DFE2MCPHのインダクタ損失は、従来品と比べ1A時24％、5A時38％改善。

Inductance - DC bias data (0.33uH)

Inductor Loss (0.33uH)

お問い合わせ

模倣品に対するご注意

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