積層セラミックコンデンサ - Sパラメータ測定条件 | 積層セラミックコンデンサ

「設計支援ツール」では、チップ積層セラミックコンデンサのSパラメータを提供しています。
ここでは、このSパラメータの測定手順、使用する試験基板、測定装置、測定条件について説明します。

測定手順

本測定の手順を以下に示します。なおSパラメータデータは、図1のように、主にネットワークアナライザと測定治具を使用して2ポートで測定しています。

1校正

校正には、SOLT (一部SOL) 校正とTRL校正の2種類を使用しています。
SOLT校正は、Short, Open, Load, Thruの自社製基板を使い、低周波側の領域を校正しています。一方、TRL校正は、Thru, Reflect, Line, Matchの自社製基板を使い、高周波側の領域を校正しています。また校正基準面は、ランドパターンの端面です。
2測定

試料は基板にはんだ付けし、ネットワークアナライザ/インピーダンスアナライザに接続された測定治具に固定して測定をします。
3試料単品のSパラメータデータ抽出

測定したSパラメータデータには、校正や電気長補正によって試験基板や測定治具の特性が除去されていますが、ビアホールとランドパターンの特性が含まれています。そこで、測定結果からビアーホールとランドパターンの特性を除去し、試料単体のSパラメータデータを抽出しています。
図1: Sパラメータ測定

本測定で使用する試験基板は以下の通りです。図2にランドパターンを示します。

本測定で使用する測定装置は以下の通りです。

※1,000pF以上については、「高誘電率系コンデンサ」と同じ条件です。

本測定では、測定周波数範囲を低周波領域と高周波領域の2つに分類し、それぞれに適した測定条件を用いています。
表1に温度補償用コンデンサ、表2に高誘電率系コンデンサの測定条件を示します。