シリコンキャパシタ（シリコンコンデンサ）シリコンキャパシタの製品寿命について

ムラタのシリコンキャパシタは、加速度試験によって製品寿命を算出しています。
半導体の破壊モード測定の一つである経時的絶縁膜破壊（TDDB）測定を用いて、破壊モードをモデル化し、温度や電場の加速係数を用いて製品寿命を推定します。
100°Cの温度環境下において、製品寿命が10年となる推奨電圧はテクノロジーごとに異なります。
以下の表をご参照ください。

酸化膜などの誘電体を一定の電圧と温度で使用すると、時間の経過とともに酸化膜の破壊が観察されます。これは経時的絶縁膜破壊（TDDB）と呼ばれ、半導体における重要な破壊モードの一つです。
この現象は一定時間のもと、高電圧または高温条件下で加速されます。

ムラタのテクノロジーの一つであるPICS3HV（BV : 30V）を例に見てみましょう。

PICS3HVでは、100°Cの温度環境下で10年以上となる印加電圧は、表からもわかる通り、16Vとなっています。
このようにして、ムラタのシリコンキャパシタの製品寿命は、各環境温度と印加される電圧によって算出されます。

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