シリコンキャパシタ(シリコンコンデンサ)

シリコンキャパシタ
ムラタの高密度シリコンキャパシタは、半導体のMOSプロセスを応用して3次元化することでキャパシタ表面積を大幅に増やし、基板単位面積当たりの静電容量を大きくしたものです。当社のシリコンテクノロジーは、単結晶基板に作り込まれたモノリシック構造を基礎としています(シングルMIMおよびマルチMIM構造。MIM構造とは金属/誘電体/金属の積層構造)。

小型パッケージでより高い性能
この先進の三次元構造により、100µmという驚くべき薄さにセラミック層80層分に相当する有効静電容量面積を実現しました。さらに薄型もご要望により対応可能です。線形で低分散の誘電体を用いて小型化を行ったことにより、静電容量値や電気特性の最適化が実現しました。

対応する市場セグメント
ネットワーク関連(RFパワーアンプやブロードバンド通信)、高信頼性用途、医療、自動車、通信。
     
  [動画] Murata 3D Silicon Capacitors

Murata Icon X 製品ラインアップ

ATSCシリーズ

LPSCシリーズ

ETSC / EXSCシリーズ

MGSCシリーズ

UBEC / BBEC / ULECシリーズ

WLSCシリーズ

UWSCシリーズ

XBSC / UBSC / BBSC / ULSCシリーズ

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WBSC / WTSC / WXSCシリーズ

UESLシリーズ

EMSCシリーズ

HTSC / XTSCシリーズ

HSSCシリーズ

Murata Icon X セレクションガイド

シリコンキャパシタのセレクションガイド
  厚さ 標準
(150℃)
高温 高周波数 低ESL

はんだ実装
85µm       UESL
(down to 10pH)

100µm LPSC
 
  XBSC (100GHz+)
UBSC (60GHz+)
BBSC (40GHz)
ULSC (20GHz)

 
400µm HSSC
HTSC (200℃)
XTSC (250℃)

 

ワイヤボンディング
(上下電極)
100µm WLSC
 
  UWSC (26GHz+)
(down to 10pH)

 
250µm WBSC
 
WTSC (200℃)
WXSC (250℃)


ワイヤボンディング
/埋め込み
100µm EMSC


MGSC
  UBEC (60GHz+)
BBEC (40GHz)
ULEC (20GHz)

 
250µm   ETSC (200℃)
EXSC (250℃)



ATSC (200℃)
   
用途
自動車

ブロードバンド通信
  RF用パワーアンプ
高信頼性
  医療
  RFID
シグナルインテグリティ
  全ての用途
 

Murata Icon X テクニカルリファレンス

ムラタは世界をリードするテクノロジーで、High-Qインダクタや抵抗、平面MIMキャパシタ、バラン向けトレンチMOSキャパシタ、PLLループフィルタ、ローパスフィルタ、RCフィルタ、給電ラインのデカップリングなどさまざまな受動素子を極めて柔軟に組み合わせてご提供しています。

このテクノロジーは、MOS半導体と完全な互換性をもった後工程技術により受動素子集積のプラットフォームを提供し、さらに他のテクノロジー(CMOSやMEMSなど)を用いたマルチチップモジュールやフリップチップによるヘテロ集積を行ったSIPへの応用も可能です。

Murata Icon X PDFカタログ

シリコンキャパシタに関連したPDF資料は下記のリンクからダウンロード可能です。

3Dシリコンキャパシタ

3D Silicon Capacitors (PDF: 5.0 MB)

  • UPDATE 2018/01/29
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