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AMRとはAnisotropic Magneto Resistanceの略で異方性磁気抵抗の意味です。AMRセンサには磁界を検出できる磁力線の向き、検出できない磁力線の向きがあります。
HoffはAMRセンサがOFFする磁界の強さです。データシート上の数値は一定の条件でこの製品が必ずOFFする磁界のことです。
HonはAMRセンサがONする磁界の強さです。データシート上の数値は一定の条件でこの製品が必ずONする磁界の強さのことです。
ミリテスラ。磁束密度の単位の名称です。（Si単位） CGS単位のガウスは「1mT＝10ガウス」にて換算します。
あるタイミングでONできる磁界があるかないか見に行きます。このタイミングが駆動周期です。駆動周期が速いほど回転検知などに使われますが、消費電流が大きくなります。駆動周期が遅いほど消費電流を抑えることができ、開閉検知などのアプリケーションに使用されます。
AMRセンサの中のパーマロイ（Ni-Feの合金）は外部の温度により感度が変化します。一般に低温になると高感度、高温になると低感度になります。 また、一部のAMRセンサには低温になると低感度、高温になると高感度になるような温度補正回路が内蔵されていて、パーマロイの温度特性と相殺して、センサとしての感度変動量を小さくしています。
AMRセンサがON（またはOFF）する磁力の強さです。0（ゼロ）もしくは弱い磁界でOFFしていたAMRセンサがONするときの磁力をON感度（Hon）、強い磁界でONしていたAMRセンサがOFFするときの磁力を感度（Hoff）といいます。
AMRセンサの感度は個々のAMRセンサで異なります。データシート上のHon・Hoffはその製品がどの範囲に入っているかを示しています。
磁気抵抗素子に使われているNi, Fe, Coなどの強磁性金属を主成分とする合金の薄膜は、外部磁界の印加により原子レベルにおいて3d-bandの電子軌道面の回転が起こり、電子の元々持つスピン軌道の相互作用と相まって3d-bandの電子分布に歪みが発生（d-bandの波動関数が歪曲）します。 このため、電子はエネルギー的に安定化を求め、異なる電子軌道である4s-bandへの伝導電子出現確率の変化を起こし、電気抵抗の変化となって現れます。 この現象を磁気抵抗効果と呼びます。
一定の状態でON・OFFを繰り返す状態のこと。電源電圧を外付け抵抗などで調整したり近くにコンデンサがないと、内部間欠動作において電流を大きく消費する瞬間に電圧がドロップし、ONできなくなることがあります。ONするぎりぎりの磁界でこの状況が起きると、チャタリングのようにHi・Loを繰り返すことがありますので注意してください。
Ni-Feの合金です。特定方向からの磁界を受けると、抵抗値が変化する特性があります。AMRセンサはこの特性を利用して磁気スイッチの動作を行います。
AMRセンサの出力がONになるとき、またはOFFになるときの磁束密度の差（設定幅）のことをヒステリシスと言います。 AMRセンサは出力がHighとなる磁束密度とLowとなる磁束密度をずれるよう設計しており、これによりスイッチイングのチャタリング現象が防止できます。
など、ケースが磁力を透過する材質であれば外面からの操作ができるなど、非常に適用範囲の広い使い方ができます。
磁石・センサの各情報を入力・選択するだけで、AMRセンサ位置とその周辺のON/OFF Mapが表示できるエクセル形式の無料シミュレーションツールと、AMRセンサ導入時に検討が必要なポイント、初期評価事例をまとめた技術資料を用意しています。
AMRセンサの動作や特性を確認いただくためのブレイクアウトボードを紹介しています。
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検知用途や対応電圧、感度、周波数など、さまざまな比較軸でご希望のAMRセンサを探すことができます。
AMRセンサ（磁気センサ）の用途例として「開閉検知」「位置検知」「回転検知」「全方位検知」それぞれのご利用方法・用途などをご紹介します。
ムラタ製品の特性表示や特性データのダウンロードができます。
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