AMRセンサ(磁気センサ)AMRセンサ 基礎知識ー AMRセンサ (磁気スイッチ)の動作原理

AMRセンサの原理

AMRセンサ(磁気スイッチ)原理説明動画

磁気抵抗素子が磁界を受けた時の抵抗値変動を解説している動画です。

磁気抵抗素子

磁気抵抗素子は電流方向に対し垂直方向の磁界の場合に抵抗が変化します。AMRセンサは、図の様なパターン配置とすることで抵抗変化する素子(R1、R4)と抵抗変化しない素子(R2、R3)を組み合わせております。

AMRセンサの動作

磁界が印可されると、磁気抵抗素子R1、R4の抵抗値が下がり中点Aと中点Bとの間の電位に差が発生します。
その電位差が、所定の設定値(しきい値)を超える事により、センサのON/OFF出力が切り替わります。

センサ内ブロック図

3端子構成

磁気ブロックは、AMR素子とその出力信号をデジタル信号に変換するICを1パッケージ化しています。
入力端子(VCC)、GND端子(GND)、出力端子(OUT)の3端子構成です。消費電流を抑えるためにサンプリング回路を搭載した構成としています。

チャタリング防止

チャタリングとは、 リレーやスイッチの接点が切り替わった際に、微細で非常に速い機械的振動によって電気信号が断続を繰り返す現象のことであり、電子回路の誤動作の一因となります。
チャタリング防止のために、動作磁界にヒステリシスを持たせています。
磁石がセンサに近づき、磁界がMOPを越えるとOUTはHからLへ変化します。
磁石がセンサから遠ざかり、磁界がMRPより低くなるとOUTはLからHへ変化します。