UESL系列

可薄至85μm的超低ESL硅电容器

UESL系列是以高速用途的电源完整性、信号完整性为目标生产的。由于超低ESL(等效串联电感)和出色的高频特性,最适合电源去耦和高速数字IC的旁路用途。此外,以超薄型(85μm以下)为特点的UESL系列,可以实现严格限制高度的先进组装技术(处理器封装、BGA的局域网端、嵌入式封装等)。依靠村田应用半导体(硅)技术开发的独特的集成无源器件和设备(Integrated Passive Devices),实现了对于DC电压和温度的高稳定性,因此UESL电容器无需考虑去耦。

例如:
-UESL 0404 450nF的有效静电容量等同于X5R MLCC的1μF。
-UESL 0402M 180nF的有效静电容量等同于X5R MLCC的400μF。

* Murata Integrated Passive Solutions S.A.(旧IPDiA)

Murata Icon X 特点

  • 超薄型85μm
  • ESR和ESL极低
  • 稳定性很高
  • 低漏电流
  • 采用无铅的NiAu镀层,也能利用自动焊接技术回流,或者进行人工作业。也能根据要求提供其他电极。
(详情见本公司的封装应用说明)

Murata Icon X 用途

  • 适合高速IC的电源完整性
  • 抑制电源噪声
  • 电源分配网络的去耦
  • 嵌入式电压调节器的旁路
  • 高速接口的信号完整性
  • 抑制高频噪声
  • 用于智能手机的应用处理器、电源线的去耦
  • 要求超薄型的所有用途

Murata Icon X UESL系列规格

参数
静电容量范围 50nF to 450nF(*)
静电容量容差 ±15%(*)
工作温度范围 -55 to 125℃
保管温度范围 -70 to 140℃(*2)
温度系数 +60 ppm/K
击穿电压 (BV) 4.5VDC
相对于RVDC的静电容量变化 0.1% / V (from 0 to RVDC)
等效串联电感 (ESL) 代表值15pH
等效串联电阻 (ESR) 代表值30mΩ to 120mΩ (*3)
绝缘电阻 100nF的商品
100GΩ(25℃,施加3V,120秒后)
老化 微小,<0.001%/1000h
电容器厚度 85µm
(*) 也能根据客户要求支持其他的规格值 (*2) 包装材料除外 (*3) 规格值因产品而异

Murata Icon X PDF产品目录

可从以下网址下载硅电容器的相关PDF资料。

Commercial leaflet UESL V1.0_Murata (PDF: 0.8 MB)

  • UPDATE 2018/1/20
下载PDF

Assembly Note UESL V1.3_Murata (PDF: 0.6 MB)

  • UPDATE 2018/3/2
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