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村田高密度硅电容器采用半导体MOS工艺开发,并使用3D结构来大幅增加电极表面,因此在给定的占位面积内增加了静电容量。村田的硅技术以嵌入非结晶基板的单片结构为基础(单层MIM和多层MIM—MIM是指金属 / 绝缘体 / 金属)。
适合的市场细分 网络相关(RF功率放大器、宽带通信)、高可靠性用途、医疗、汽车、通信。
此视频介绍硅电容器。说明其在性能和小型化方面的主要优势。
硅电容器即使在超高频下插入损耗也非常低,尺寸也非常小,因此有助于削减超宽带光通信设备的功耗和安装面积。
可以解决伴随高速大容量通信带来的单频宽带化问题,即在功率放大器模块内消除互调失真,防止信号品质降低。
在近年来需求量快速增长的使自动驾驶成为可能的传感技术“LiDAR”中,硅电容器通过其低ESL特性,为实现检测的长距离化及提高测量分辨率做出贡献。
我们还提供面向医疗设备的定制集成无源设备(IPD)。为系统的高集成化、高性能化、抑制消耗电流和提高可靠性等做出贡献。
支持220GHz的表面封装硅电容器
超宽带表面贴装型差分硅电容器对组
26GHz+対応 支持26GHz+的引线键合用上下电极硅电容器
100μm対応 可薄至100μm的引线键合用上下电极硅电容器
医疗用硅电容器
最高工作温度200℃的汽车用硅电容器
汽车应用 支持汽车引线键合的上下电极硅电容器
最高工作温度250℃的引线键合用上下电极硅电容器
支持60GHz+的嵌入/引线键合用硅电容器
最高工作温度250℃的硅电容器
可薄至100μm的引线键合/嵌入用硅电容器
最高工作温度250℃的引线键合用硅电容器
高稳定性高可靠性硅电容器
可薄至100μm的硅电容器
本公司提供适用于各类安装的产品系列。 有关各产品的安装方法,请查看装配图。
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