EMSCシリーズ

100μm対応 ワイヤボンディング/埋め込み用シリコンキャパシタ

ムラタ*の半導体(シリコン)技術による、独自の集積受動部品/デバイス(Integrated Passive Devices)により、このような高信頼性が要求される用途での様々な問題を解決できます。このワイヤボンディングや埋め込み対応の薄型シリコンキャパシタは100μm(ご要望により80μmまで対応可能)の厚さで、最高のデカップリング特性を求めている設計者にとって埋め込み用途に最適のソリューションです。
EMSCはラミネート基板パッケージ、リジッド/フレキシブルPCB、FR4、セラミック、ガラス、リードフレームまたはホイルのプラットフォームに最適化されています。シリコンキャパシタテクノロジーは、キャパシタ集積機能(最高250nF / mm2)を提供、現有のソリューションに比べ小型化が可能です。ムラタのテクノロジーは、タンタルやMLCCなどの代替となるキャパシタテクノロジーと比較して最大で10倍の信頼性を特徴としており、クラッキング現象が発生しません。半導体(シリコン)技術は、全動作電圧および温度範囲で極めて安定な静電容量値と、高い絶縁抵抗を安定に維持します。このシリコンをベースとする技術はRoHSに対応しており、鉛フリーのリフロー実装が可能です。

* Murata Integrated Passive Solutions S.A. (旧IPDiA)

Murata Icon X 特徴

  • 100μmの超薄型(ご要望により80μmも可能)
  • 高安定性(温度、電圧、エージング)
  • 低いESLとESR
  • 低リーク電流
  • 高信頼性
  • 埋め込みまたはワイヤボンディングソリューション

(詳細は当社の実装アプリケーションノートを参照ください)

Murata Icon X 用途

  • 用途
  • 医療、航空宇宙、自動車産業など、あらゆる要望の厳しい用途
  • 供給デカップリング/能動素子のフィルタリング
  • 高信頼性用途
  • バッテリを使用する機器
  • 体積が制限されている用途

Murata Icon X EMSCシリーズ仕様

パラメータ
静電容量範囲 390pF~1µF
静電容量許容差 ±15%(*)
動作温度範囲 -55°C~150°C
保管温度範囲 -70°C~165°C(*2)
温度係数 +60ppm/K
ブレークダウン電圧 (BV) 11VDC、30VDC
RVDCに対する静電容量変動 0.1%/V (0~RVDC)
絶縁抵抗 100nFの商品の場合
100GΩ(25℃で3V印加し120秒後)
エージング 微小、< 0.001% / 1000h
信頼性 FIT<0.017個 / 10億時間
キャパシタ厚さ 100µm(*3)

(*) ご要望に応じて他の仕様値も対応可能  (*2) 梱包材を除く
(*3) ご要望により高さ80μmも可能

Murata Icon X シリーズラインアップ

EMSC.xxx
100μm対応 ワイヤボンディング/埋め込み用シリコンキャパシタ
-55℃~150℃
品番 静電容量 BV
ケースサイズ 厚さ
935123730510-xxA 10nF 30V 0202 100µm
935123421610-xxA 100nF 11V 0404 100µm
935123733610-xxA 100nF 30V 0605 100µm
935123422622-xxA 220nF 11V 0505 100µm
935123424710-xxA 1µF 11V 1208 100µm

その他の仕様値は弊社営業担当者にお問合せください。

Murata Icon X PDFカタログ

シリコンキャパシタに関連したPDF資料は下記のリンクからダウンロード可能です。

Commercial leaflet_EMSC V4.4_Murata (PDF: 1.0 MB)

  • UPDATE 2018/02/20
PDFダウンロード

Assembly Note EMSC V1.9_Murata (PDF: 0.6 MB)

  • UPDATE 2018/02/02
PDFダウンロード